BD4835FVE-TR是羅姆(ROHM)半導(dǎo)體生產(chǎn)的一款N溝道MOSFET晶體管。該器件采用小型表面貼裝封裝,主要應(yīng)用于需要高效開關(guān)和低導(dǎo)通電阻的場(chǎng)景。
BD4835FVE-TR的設(shè)計(jì)旨在降低功耗并提高效率,適用于廣泛的消費(fèi)類電子產(chǎn)品及工業(yè)設(shè)備中的電源管理電路。
漏源極擊穿電壓:30V
連續(xù)漏極電流:16A
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):2.5mΩ(最大值,在Vgs=10V時(shí))
柵極電荷:17nC(典型值)
總功耗:20W
工作結(jié)溫范圍:-40℃至+150℃
封裝類型:TO-252(DPAK)
BD4835FVE-TR具有非常低的導(dǎo)通電阻,可顯著減少功率損耗并提升系統(tǒng)效率。其高電流處理能力使其非常適合于負(fù)載切換、DC/DC轉(zhuǎn)換器以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用。
此外,這款MOSFET還具備快速開關(guān)性能和良好的熱穩(wěn)定性,能夠滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)高性能和可靠性的要求。
由于采用了DPAK封裝,它不僅擁有出色的散熱性能,還便于在緊湊型設(shè)計(jì)中使用。
BD4835FVE-TR廣泛用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)
2. DC/DC轉(zhuǎn)換器
3. 電池保護(hù)電路
4. 汽車電子中的負(fù)載驅(qū)動(dòng)
5. 工業(yè)控制系統(tǒng)的功率管理
6. 各種需要低導(dǎo)通電阻和高效率的場(chǎng)合
IRFZ44N
STP16NF06
FDP15U20AE
BSC018N06NSG