BCW68GLT1G 是一款基于硅技術的雙極型晶體管(Bipolar Junction Transistor, BJT�,主要用于開關和放大應用。該晶體管屬� NPN 類型,適合在低電壓和中等電流條件下工�。其小型化的 SOT-23 封裝使其非常適合用于空間受限的設計場景,同時具備出色的電氣性能�
集電�-�(fā)射極電壓(Vce):30V
連續(xù)集電極電流(Ic):200mA
直流電流增益(hFE):最小� 100,典型� 300
最大功耗(Ptot):340mW
過渡頻率(fT):300MHz
存儲溫度范圍�-55� � +150�
工作結溫范圍�-55� � +150�
BCW68GLT1G 的設計結合了高性能和高可靠�,具有以下主要特點:
1. 高增益:� hFE 值較高,確保在信號放大應用中表現(xiàn)出色�
2. 快速開關能力:由于其高頻特性(fT 達到 300MHz),該晶體管適用于高頻電路和脈寬調制(PWM)應��
3. 低飽和電壓:這有助于提高效率,特別是在開關模式下工作��
4. 緊湊封裝:SOT-23 封裝節(jié)省了 PCB 空間,同時提供良好的熱性能�
5. 寬溫度范圍:能夠適應惡劣的工作環(huán)�,從低溫至高溫均可穩(wěn)定運��
BCW68GLT1G 廣泛應用于各種消費電�、工�(yè)控制和通信設備領域,具體包括:
1. 開關電源(SMPS)中的驅動級或輔助開關電��
2. 模擬和數(shù)字信號放大器�
3. 電機控制和驅動電��
4. 脈沖寬度調制(PWM)控制器�
5. 過流保護和負載開關電��
6. 電池管理系統(tǒng)的檢測和保護電路�
BCW68LT1G, BC847C, 2SC1815