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BCW66G 發(fā)布時間 時間�2022/12/29 14:44:47 查看 閱讀�1308

    類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�

    家庭:晶體管(BJT) - 單路

    系列�-

    晶體管類型:NPN

    電流 - 集電� (Ic)(最大)�1A

    電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)�45V

 


目錄

概述

    類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�

    家庭:晶體管(BJT) - 單路

    系列�-

    晶體管類型:NPN

    電流 - 集電� (Ic)(最大)�1A

    電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)�45V

    Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)�700mV @ 50mA, 500mA

    電流 - 集電極截止(最大)�20nA

    在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增� (hFE)�160 @ 100mA, 1V

    功率 - 最大:350mW

    頻率 - �(zhuǎn)換:100MHz

    安裝類型:表面貼�

    封裝/外殼:SOT-23-3, TO-236-3, Micro3?, SSD3, SST3

    包裝:帶� (TR)

    供應(yīng)商設(shè)備封裝:*


資料

廠商
STMICROELECTRONICS

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bcw66g參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭晶體�(BJT) - 單路
  • 系列-
  • 晶體管類�NPN
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)1A
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)45V
  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)700mV @ 50mA�500mA
  • 電流 - 集電極截止(最大)20nA
  • 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增� (hFE)160 @ 100mA�1V
  • 功率 - 最�350mW
  • 頻率 - �(zhuǎn)�100MHz
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SOT-23-3
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱BCW66G-NDBCW66GTR