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BC848CLT1G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2022/12/30 13:46:50 查看 閱讀�1091

    類型:NPN

    集電極-�(fā)射集最小雪崩電壓Vceo(V):30

    集電極最大電流Ic(max)(mA):100

 

目錄

概述

    類型:NPN

    集電極-�(fā)射集最小雪崩電壓Vceo(V):30

    集電極最大電流Ic(max)(mA):100

    直流電流增益hFE最小�(dB):420

    直流電流增益hFE最大�(dB):800

    最小電流增益帶寬乘積Ft(MHz):100

    封裝/溫度(�):SOT-23/-55~150


資料

廠商
ON Semiconductor

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bc848clt1g參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭晶體�(BJT) - 單路
  • 系列-
  • 晶體管類�NPN
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)100mA
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)30V
  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)600mV @ 5mA�100mA
  • 電流 - 集電極截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce �(shí)的最小直流電流增� (hFE)420 @ 2mA�5V
  • 功率 - 最�225mW
  • 頻率 - �(zhuǎn)�100MHz
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SOT-23-3(TO-236�
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱BC848CLT1GOSTR