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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > BC846BDW1T1G

BC846BDW1T1G 發(fā)布時間 時間�2022/12/20 17:30:15 查看 閱讀�921

    類型:NPN/NPN

    集電極-�(fā)射集最小雪崩電壓Vceo(V):65

    集電極最大電流Ic(max)(mA):100

   


目錄

概述

    類型:NPN/NPN

    集電極-�(fā)射集最小雪崩電壓Vceo(V):65

    集電極最大電流Ic(max)(mA):100

    直流電流增益hFE最小�(dB):200

    直流電流增益hFE最大�(dB):450

    最小電流增益帶寬乘積Ft(MHz):100

    封裝/溫度(�):SOT-363/-55~150


資料

廠商
ON Semiconductor

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bc846bdw1t1g參數(shù)

  • 標準包裝3,000
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭晶體�(BJT) - 陣列
  • 系列-
  • 晶體管類�2 NPN(雙�
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)100mA
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)65V
  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)600mV @ 5mA�100mA
  • 電流 - 集電極截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增� (hFE)200 @ 2mA�5V
  • 功率 - 最�380mW
  • 頻率 - �(zhuǎn)�100MHz
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供應商設備封�SOT-363
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱BC846BDW1T1G-NDBC846BDW1T1GOSTR