BB814E6327GR1是一款由安森美(ON Semiconductor)生�(chǎn)的N溝道MOSFET功率晶體�。該器件采用TO-263-3表面貼裝封裝,適用于多種功率�(zhuǎn)換和開關(guān)�(yīng)用。其低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特性使其成為高效能電源管理的理想選��
BB814E6327GR1主要針對需要高效率、高可靠性的場景�(shè)計,例如適配�、充電器、DC-DC�(zhuǎn)換器等。它具備出色的熱性能和電氣性能,能夠在較寬的電壓范圍內(nèi)�(wěn)定運��
最大漏源電壓:650V
連續(xù)漏極電流�1.9A
�(dǎo)通電阻:1.3Ω
柵極電荷�12nC
總功耗:1.3W
工作溫度范圍�-55℃至+150�
封裝類型:TO-263-3
BB814E6327GR1具有以下�(guān)鍵特性:
1. 高耐壓能力,最大漏源電壓為650V,適合高壓環(huán)境下的應(yīng)用�
2. 極低的導(dǎo)通電阻(1.3Ω�,能夠顯著減少導(dǎo)通損耗,提升系統(tǒng)效率�
3. 快速開�(guān)速度,得益于較低的柵極電荷(12nC�,適合高頻開�(guān)�(yīng)��
4. �(yōu)異的熱穩(wěn)定性,可在極端溫度條件下(-55℃至+150℃)保持正常工作�
5. 表面貼裝封裝(TO-263-3),便于自動化生�(chǎn)和小型化�(shè)��
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(xiàn)代電子設(shè)備的要求�
BB814E6327GR1廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的初級側(cè)開關(guān)�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
3. 電池充電器和適配��
4. 電機�(qū)動和�(fù)載切��
5. 各類工業(yè)控制和消費電子設(shè)備中的功率管理電路�
6. 保護電路,如過流保護和短路保護�
NTD8142P
FDP5500
IRF640
STP19NF55