BAS40-00-G3-08是一種高性能的功率MOSFET,采用先�(jìn)的半�(dǎo)體工藝制造。該器件適用于高頻開�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器以及�(fù)載開�(guān)等應(yīng)用場(chǎng)�。其卓越的導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特性使其在高效能電路中表現(xiàn)出色�
BAS40-00-G3-08屬于N溝道增強(qiáng)型MOSFET,具有低�(dǎo)通電阻、高擊穿電壓和良好的熱穩(wěn)定性等特點(diǎn),可有效減少功率損耗并提升系統(tǒng)效率�
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
最大漏源電壓Vds�60V
最大柵源電壓Vgs:�20V
持續(xù)漏極電流Id�4A
�(dǎo)通電阻Rds(on)�45mΩ(典型�,Vgs=10V�
總功耗Ptot�1.2W(Ta=25°C�(shí)�
�(jié)溫范圍Tj�-55°C�+175°C
封裝形式:SOT-23
BAS40-00-G3-08的主要特性包括:
1. 高效節(jié)能:低導(dǎo)通電阻確保了較低的傳�(dǎo)損�,從而提高整體系�(tǒng)效率�
2. 快速開�(guān)能力:具備超短的開關(guān)�(shí)�,能夠適�(yīng)高頻工作�(huán)��
3. 熱穩(wěn)定性強(qiáng):寬泛的工作溫度范圍使其適合各種極端條件下的�(yīng)��
4. 小尺寸封裝:采用SOT-23封裝,節(jié)省PCB空間的同�(shí)提供出色的散熱性能�
5. 高可靠性:通過�(yán)格的�(zhì)量控制流程生�(chǎn),保證長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行�
該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器
3. �(fù)載開�(guān)
4. 電池管理模塊
5. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路
6. 保護(hù)電路中的過流保護(hù)和短路保�(hù)
BAS40-00-G3-08憑借其�(yōu)異的電氣性能,在消費(fèi)電子、工�(yè)自動(dòng)化及汽車電子等領(lǐng)域均有廣泛應(yīng)��
BSS138, AO3400