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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > BAS40-00-G3-08

BAS40-00-G3-08 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/28 16:10:34 查看 閱讀�38

BAS40-00-G3-08是一種高性能的功率MOSFET,采用先�(jìn)的半�(dǎo)體工藝制造。該器件適用于高頻開�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器以及�(fù)載開�(guān)等應(yīng)用場(chǎng)�。其卓越的導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特性使其在高效能電路中表現(xiàn)出色�
  BAS40-00-G3-08屬于N溝道增強(qiáng)型MOSFET,具有低�(dǎo)通電阻、高擊穿電壓和良好的熱穩(wěn)定性等特點(diǎn),可有效減少功率損耗并提升系統(tǒng)效率�

參數(shù)

類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  最大漏源電壓Vds�60V
  最大柵源電壓Vgs:�20V
  持續(xù)漏極電流Id�4A
  �(dǎo)通電阻Rds(on)�45mΩ(典型�,Vgs=10V�
  總功耗Ptot�1.2W(Ta=25°C�(shí)�
  �(jié)溫范圍Tj�-55°C�+175°C
  封裝形式:SOT-23

特�

BAS40-00-G3-08的主要特性包括:
  1. 高效節(jié)能:低導(dǎo)通電阻確保了較低的傳�(dǎo)損�,從而提高整體系�(tǒng)效率�
  2. 快速開�(guān)能力:具備超短的開關(guān)�(shí)�,能夠適�(yīng)高頻工作�(huán)��
  3. 熱穩(wěn)定性強(qiáng):寬泛的工作溫度范圍使其適合各種極端條件下的�(yīng)��
  4. 小尺寸封裝:采用SOT-23封裝,節(jié)省PCB空間的同�(shí)提供出色的散熱性能�
  5. 高可靠性:通過�(yán)格的�(zhì)量控制流程生�(chǎn),保證長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行�

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器
  3. �(fù)載開�(guān)
  4. 電池管理模塊
  5. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路
  6. 保護(hù)電路中的過流保護(hù)和短路保�(hù)
  BAS40-00-G3-08憑借其�(yōu)異的電氣性能,在消費(fèi)電子、工�(yè)自動(dòng)化及汽車電子等領(lǐng)域均有廣泛應(yīng)��

替代型號(hào)

BSS138, AO3400

bas40-00-g3-08推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

bas40-00-g3-08參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�40,598�(xiàn)�
  • �(jià)�1 : �2.70000剪切帶(CT�3,000 : �0.52077卷帶(TR�
  • 系列-
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 技�(shù)肖特�
  • 電壓 - DC 反向 (Vr)(最大值)40 V
  • 電流 - 平均整流 (Io)200mA
  • 不同 If �(shí)電壓 - 正向 (Vf)1 V @ 40 mA
  • 速度小信�(hào) =< 200mA(Io),任意速度
  • 反向恢復(fù)�(shí)� (trr)5 ns
  • 不同 Vr �(shí)電流 - 反向泄漏100 nA @ 30 V
  • 不同?Vr、F �(shí)電容5pF @ 0V�1MHz
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應(yīng)商器件封�SOT-23-3
  • 工作溫度 - �(jié)125°C(最大)