BAS21SLT1是一種雙極型小信號晶體管,采用SOT-23封裝形式。該晶體管主要設(shè)計用于高頻和低噪聲應(yīng)用場�。其�(jié)�(gòu)為NPN類型,具有較高的增益和頻率特�,適用于射頻放大器、混頻器以及其他高頻電路。由于其小型化封裝和�(yōu)異的電氣性能,BAS21SLT1在現(xiàn)代電子設(shè)備中得到了廣泛應(yīng)��
集電�-�(fā)射極電壓�45V
集電極電流:200mA
功率耗散�350mW
過渡頻率(fT):1GHz
直流電流增益(hFE):80�400
工作溫度范圍�-55℃至150�
1. 高頻特性:其過渡頻率高�(dá)1GHz,這使得它非常適合于高頻放大和混頻�(yīng)用�
2. 小型化封裝:采用SOT-23封裝,這種封裝方式能夠有效減少寄生電感和電容的影響,從而�(jìn)一步提升高頻性能�
3. �(wěn)定性高:BAS21SLT1具有良好的穩(wěn)定性和可靠性,在各種復(fù)雜環(huán)境下仍能保持正常工作�
4. �(yīng)用廣泛:除了高頻電路�,它還可以應(yīng)用于音頻放大�、開�(guān)電路等多種場��
1. 射頻放大器:由于其高頻特性和低噪聲優(yōu)�,常被用作射頻信號放大�
2. 混頻器:可作為混頻器中的�(guān)鍵元件,提供�(wěn)定的增益和頻率轉(zhuǎn)��
3. 開關(guān)電路:利用其快速切換能力,可以在數(shù)字電路中�(shí)�(xiàn)開關(guān)功能�
4. 音頻放大器:盡管主要用于高頻�(lǐng)�,但在某些低頻應(yīng)用中也可以發(fā)揮良好作��
BAS21LT1G, MMBT2222ALT1G