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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > BAS21-HE3-08

BAS21-HE3-08 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/4 2:16:38 查看 閱讀�8

BAS21-HE3-08是一種基于硅材料的高速開(kāi)�(guān)二極�,廣泛應(yīng)用于高頻電路和信�(hào)處理�(lǐng)�。該型號(hào)屬于齊納二極管系�,具有低電容、低反向電流和高�(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn)。其�(shè)�(jì)旨在滿足�(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)快速響�(yīng)和穩(wěn)定性能的需�,特別適用于保護(hù)電路、電壓箝位以及信�(hào)�(diào)節(jié)等場(chǎng)��
  該器件采用小型化的封裝形式,有助于節(jié)省印刷電路板的空�,同�(shí)具備良好的熱�(wěn)定性和可靠�,適合在各種�(fù)雜環(huán)境下工作�

參數(shù)

最大反向電壓:50V
  正向電壓�0.7V
  最大正向電流:200mA
  反向恢復(fù)�(shí)間:4ns
  功耗:200mW
  工作溫度范圍�-55℃至150�
  封裝形式:SOD-123

特�

BAS21-HE3-08具有以下主要特性:
  1. 高速開(kāi)�(guān)能力,能夠快速切換狀�(tài),適用于高頻電路�
  2. 極低的反向恢�(fù)�(shí)�,確保了最小化的信�(hào)失真和能量損��
  3. �(wěn)定的電氣性能,在寬溫范圍�(nèi)保持一致的輸出�
  4. 小型化封�,便于集成到緊湊型設(shè)�(jì)��
  5. 良好的熱管理能力,能夠在高溫�(huán)境下�(zhǎng)期運(yùn)��
  6. 低漏電流,保證了較高的效率和更低的靜�(tài)功��
  這些特點(diǎn)使得該器件成為高頻整�、過(guò)壓保�(hù)及數(shù)�(jù)傳輸線路中的理想選擇�

�(yīng)�

BAS21-HE3-08的應(yīng)用領(lǐng)域非常廣泛,主要包括�
  1. �(guò)壓保�(hù)電路,用于防止瞬�(tài)電壓�(duì)敏感元件的損害�
  2. 高頻信號(hào)整流,例如在通信�(shè)備和�(wú)線模塊中�
  3. 電源管理模塊中的箝位電路�
  4. �(shù)字信�(hào)�(diào)節(jié),特別是在高速接口(如USB、以太網(wǎng))中起到保護(hù)作用�
  5. 汽車(chē)電子系統(tǒng)中的瞬態(tài)抑制功能�
  6. 工業(yè)控制�(shè)備中的隔離與保護(hù)電路�
  BAS21-HE3-08憑借其�(yōu)異的性能表現(xiàn),成為眾多行�(yè)�(biāo)�(zhǔn)解決方案中的�(guān)鍵組��

替代型號(hào)

BAS21W, BAS71, 1N4148

bas21-he3-08推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

bas21-he3-08參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�32,519�(xiàn)�
  • �(jià)�1 : �1.91000剪切帶(CT�3,000 : �0.34693卷帶(TR�
  • 系列Automotive, AEC-Q101
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 技�(shù)�(biāo)�(zhǔn)
  • 電壓 - DC 反向 (Vr)(最大值)200 V
  • 電流 - 平均整流 (Io)200mA
  • 不同 If �(shí)電壓 - 正向 (Vf)1.25 V @ 200 mA
  • 速度小信�(hào) =< 200mA(Io),任意速度
  • 反向恢復(fù)�(shí)� (trr)50 ns
  • 不同 Vr �(shí)電流 - 反向泄漏100 nA @ 200 V
  • 不同?Vr、F �(shí)電容5pF @ 0V�1MHz
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝�
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應(yīng)商器件封�SOT-23-3
  • 工作溫度 - �(jié)-55°C ~ 150°C