AZC199-04SC是一種高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應用于電源管理、電機驅(qū)動以及各類開關(guān)電路中。它采用先進的半導體制造工藝,具備低導通電阻和高開關(guān)速度的特點,適合在高頻和高效率的應用場景下使用。
該器件具有出色的熱性能和電氣性能,能夠承受較高的電流負載,并提供穩(wěn)定的輸出表現(xiàn)。同時,其緊湊的封裝形式使其非常適合空間受限的設(shè)計環(huán)境。
類型:N溝道增強型MOSFET
最大漏源電壓:100V
最大柵源電壓:±20V
持續(xù)漏極電流:30A
導通電阻:4mΩ(典型值)
柵極電荷:80nC(典型值)
開關(guān)時間:ton=25ns,toff=15ns
工作溫度范圍:-55℃至+150℃
封裝形式:TO-220
AZC199-04SC的主要特性包括:
1. 極低的導通電阻,有助于降低功率損耗并提高整體效率。
2. 高速開關(guān)能力,適用于高頻開關(guān)電源和逆變器。
3. 強大的過流保護功能,增強了系統(tǒng)的可靠性和安全性。
4. 優(yōu)異的熱穩(wěn)定性,能夠在高溫環(huán)境下長期穩(wěn)定運行。
5. 緊湊的封裝設(shè)計,節(jié)省了印刷電路板的空間占用。
6. 符合RoHS標準,環(huán)保無鉛材料制成。
該芯片主要應用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的功率開關(guān)。
2. 直流-直流轉(zhuǎn)換器(DC-DC Converter)的核心元件。
3. 各類電機驅(qū)動電路,如步進電機、伺服電機等。
4. 太陽能逆變器和其他可再生能源發(fā)電設(shè)備。
5. 汽車電子系統(tǒng)中的負載切換控制。
6. 工業(yè)自動化設(shè)備中的電源管理和信號傳輸部分。
AZC199-04SD, IRFZ44N, FDP5570N