AWT6621RM45Q7 是一款高性能的射頻功率放大器芯片,主要應(yīng)用于�(wú)線通信�(lǐng)�。該芯片采用先�(jìn)的GaAs(砷化鎵)工藝制�,具有高增益、高效率和低失真的特�(diǎn)。它支持高頻段工�,適用于3G�4G以及部分5G�(yīng)用中的基站和終端�(shè)�。這款芯片通過(guò)�(yōu)化設(shè)�(jì),確保在寬頻帶范圍內(nèi)提供�(wěn)定的性能表現(xiàn)�
AWT6621RM45Q7 的封裝形式為QFN(四方扁平無(wú)引腳),便于集成到小型化的射頻模塊中,同�(shí)具備良好的散熱性能。其�(nèi)置匹配網(wǎng)�(luò),減少了外部元件的需�,簡(jiǎn)化了電路�(shè)�(jì)�
型號(hào):AWT6621RM45Q7
類型:射頻功率放大器
工藝:GaAs
頻率范圍�1.8 GHz � 2.7 GHz
輸出功率�43 dBm (典型�)
增益�18 dB (典型�)
效率�55% (典型�)
電源電壓�5 V
靜態(tài)電流�200 mA
封裝:QFN-16
AWT6621RM45Q7 具有以下顯著特性:
1. 高效率設(shè)�(jì),能夠有效降低功耗,提升系統(tǒng)整體能效�
2. �(nèi)置匹配網(wǎng)�(luò),減少外部元件需�,從而降低設(shè)�(jì)�(fù)雜度和成本�
3. 支持寬頻帶操�,適用于多種�(wú)線通信�(biāo)�(zhǔn)�
4. 高線性度和低失真,保證信�(hào)傳輸�(zhì)��
5. �(wěn)定的溫度特性和可靠�,適合各種環(huán)境下的應(yīng)��
6. 小型化的QFN封裝,有助于�(shí)�(xiàn)緊湊型射頻模塊設(shè)�(jì)�
AWT6621RM45Q7 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(wú)線通信基站:包括宏基站、微基站和皮基站等�
2. 用戶終端�(shè)備:如智能手�(jī)、平板電腦和其他移動(dòng)通信�(shè)備�
3. 固定�(wú)線接入設(shè)備:用于寬帶接入�(wǎng)�(luò)�
4. 物聯(lián)�(wǎng)(IoT)設(shè)備:支持�(yuǎn)程數(shù)�(jù)傳輸和通信�
5. 工業(yè)、科�(xué)和醫(yī)療(ISM)頻段應(yīng)用:如無(wú)線傳感器�(wǎng)�(luò)和遙控設(shè)��
AWT6621RM45Q8
AWT6621RM46Q7
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