AVLC5S02200 時(shí)間：2025/5/26 14:27:15 閱讀：12

AVLC5S02200 是一款基于 GaN（氮化鎵）技術(shù)的高性能功率開關(guān)器件，專為高頻、高效率電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該芯片集成了增強(qiáng)型 GaN 場(chǎng)效應(yīng)晶體管（eGaN FET），具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)速度的特點(diǎn)，能夠顯著提升系統(tǒng)效率并減小整體尺寸。其適用于 AC-DC 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、充電器、適配器以及其他功率電子設(shè)備。
　　相比傳統(tǒng)的硅基 MOSFET，AVLC5S02200 提供了更高的開關(guān)頻率、更低的開關(guān)損耗和更小的熱阻抗，從而優(yōu)化了功率密度和散熱性能。

參數(shù)

型號(hào)：AVLC5S02200
　　類型：GaN 功率開關(guān)
　　最大漏源電壓(Vds)：650V
　　最大柵極驅(qū)動(dòng)電壓(Vgs)：+6V/-4V
　　連續(xù)漏極電流(Id)：22A
　　導(dǎo)通電阻(Rds(on))：28mΩ
　　輸入電容(Ciss)：1390pF
　　輸出電容(Coss)：15pF
　　反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：<10ns
　　工作溫度范圍：-55°C 至 +175°C
　　封裝形式：TO-247-3

特性

AVLC5S02200 的主要特性包括：
　　1. 高效的 GaN 技術(shù)，支持高達(dá) MHz 級(jí)別的開關(guān)頻率，減少磁性元件體積。
　　2. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on)) 僅為 28mΩ，可降低傳導(dǎo)損耗。
　　3. 快速開關(guān)能力，具備小于 10ns 的反向恢復(fù)時(shí)間，減少開關(guān)損耗。
　　4. 內(nèi)置保護(hù)功能，如過(guò)流保護(hù)和短路保護(hù)，提高系統(tǒng)可靠性。
　　5. 工作結(jié)溫范圍寬廣 (-55°C 至 +175°C)，適應(yīng)惡劣環(huán)境條件。
　　6. 封裝形式采用 TO-247-3，便于散熱管理且兼容現(xiàn)有設(shè)計(jì)布局。
　　7. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，綠色環(huán)保無(wú)鉛設(shè)計(jì)。

應(yīng)用

該芯片廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 高效 AC-DC 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
　　2. 消費(fèi)類快充適配器及無(wú)線充電模塊。
　　3. 數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源單元 (PSU)。
　　4. 新能源汽車車載充電機(jī) (OBC) 和 DC-DC 變換器。
　　5. 工業(yè)級(jí)電機(jī)驅(qū)動(dòng)和 UPS 不間斷電源系統(tǒng)。
　　6. 太陽(yáng)能微型逆變器和其他可再生能源解決方案。
　　7. 高頻諧振軟開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，例如 LLC 和相移全橋電路。