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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > AUIRF7665S2TR

AUIRF7665S2TR 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/15 16:43:50 查看 閱讀�14

AUIRF7665S2TR 是一款N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用TO-252-3表面貼裝封裝形式。該器件適用于汽�(chē)�(jí)�(yīng)�,具有高可靠�、低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)速度的特�,能夠滿足高效能電源�(zhuǎn)換和電機(jī)�(qū)�(dòng)等需求�
  該芯片由英飛凌(Infineon)制�,專為需要高效率和嚴(yán)格溫度控制的�(huán)境設(shè)�(jì),如汽車(chē)電子系統(tǒng)中的DC-DC�(zhuǎn)換器、負(fù)載切換以及電�(jī)控制等領(lǐng)��

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�42A
  �(dǎo)通電阻:1.8mΩ
  柵極電荷�39nC
  �(kāi)�(guān)速度:快�
  工作�(jié)溫范圍:-55℃至175�
  封裝形式:TO-252-3

特�

AUIRF7665S2TR具備以下主要特性:
  1. 超低�(dǎo)通電阻(Rds(on)),在典型值為1.8mΩ的情況下,可顯著降低傳導(dǎo)損耗并提升整體效率�
  2. 高額定電流能力(42A�,使其能夠在�(yán)苛條件下�(wěn)定運(yùn)行�
  3. 符合AEC-Q101�(biāo)�(zhǔn),確保其在汽�(chē)�(yīng)用中的可靠性和耐用��
  4. 快速開(kāi)�(guān)速度減少了開(kāi)�(guān)損耗,并提升了高頻操作下的性能�
  5. 工作�(jié)溫高�(dá)175℃,適應(yīng)極端溫度�(huán)��
  6. 柵極電荷較低�39nC�,有助于減少�(qū)�(dòng)功耗�
  7. 表面貼裝封裝形式便于自動(dòng)化生�(chǎn)和安�,同�(shí)節(jié)省空��

�(yīng)�

AUIRF7665S2TR廣泛�(yīng)用于多種汽車(chē)電子系統(tǒng)中:
  1. 汽車(chē)DC-DC�(zhuǎn)換器,用于電池管理系�(tǒng)或車(chē)載信息娛�(lè)�(shè)備供��
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,支持電�(dòng)�(chē)�、雨�、座椅調(diào)節(jié)等功能�
  3. �(fù)載切換和保護(hù)電路,實(shí)�(xiàn)�(duì)不同�(fù)載的安全控制�
  4. �(kāi)�(guān)電源模塊,提供高效穩(wěn)定的電壓輸出�
  5. 照明系統(tǒng)中的LED�(qū)�(dòng)電路�
  6. 其他高壓、大電流�(chǎng)景下的功率管理解決方案�

替代型號(hào)

IRF7665TRPBF

auirf7665s2tr推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

auirf7665s2tr參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝4,800
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列HEXFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)100V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C77A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C62 毫歐 @ 8.9A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)5V @ 25µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs13nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds515pF @ 25V
  • 功率 - 最�2.4W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼DirectFET? 等距 SB
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�DIRECTFET SB
  • 包裝帶卷 (TR)