ATIC21 C1/A2C37376 是一款由安森美(ON Semiconductor)推出的高壓功率MOSFET芯片,廣泛應用于開關電源、DC-DC轉換器和電機驅動等場景。該芯片采用TO-220封裝形式,具有低導通電阻和高擊穿電壓的特點,能夠有效提高系�(tǒng)的效率和�(wěn)定��
型號:ATIC21 C1/A2C37376
類型:N溝道MOSFET
封裝:TO-220
最大漏源極電壓�650V
最大柵源極電壓:�20V
連續(xù)漏極電流�1.8A
導通電阻:5.4Ω
總功耗:25W
工作溫度范圍�-55℃至+150�
ATIC21 C1/A2C37376 的主要特點是其高耐壓能力,適合用于高壓環(huán)境下的電力電子設��
1. 高擊穿電壓:高達650V的漏源極電壓使其能夠在高壓條件下�(wěn)定運��
2. 低導通電阻:在典型條件下,導通電阻僅�5.4Ω,降低了功率損��
3. 快速開關速度:優(yōu)化的柵極電荷設計使開關時間更短,從而提高了系統(tǒng)效率�
4. 熱穩(wěn)定性:該芯片可以在-55℃到+150℃的寬溫范圍內工作,適應各種極端�(huán)��
5. 小型化封裝:TO-220封裝不僅易于安裝,還具備良好的散熱性能�
ATIC21 C1/A2C37376 廣泛應用于需要高壓控制的電力電子領域�
1. 開關電源(SMPS�
2. DC-DC轉換�
3. 電機驅動電路
4. 負載開關
5. 工業(yè)自動化控�
6. LED驅動�
7. 光伏逆變器中的功率管理單�
由于其出色的性能和可靠�,這款芯片成為許多高壓應用的理想選��
STP16NF65,
IRF640,
FDP18N65,
IXTH18N65L