時間�2025/4/30 17:01:58
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APM2054NDC-TRG 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技術的高效功率晶體�，專為高頻開關應用設�。該器件采用了先進的 GaN HEMT 結構，提供低導通電阻和快速開關性能，適用于電源轉換、電機驅動和通信設備等應用場景�
相比傳統(tǒng)硅基 MOSFET，APM2054NDC-TRG 在高頻和高效率場景下表現出顯著優(yōu)勢，同時具備更小的封裝尺寸和更高的功率密��
額定電壓�650V
額定電流�54A
導通電阻：18mΩ
柵極電荷�37nC
輸入電容�1190pF
反向恢復時間：無（由� GaN 特性）
工作溫度范圍�-55°C � +150°C
封裝形式：TO-247-3
APM2054NDC-TRG 的主要特性包括：
1. 采用氮化� (GaN) 材料技�，實現更低的導通電阻和開關損�，從而提升系�(tǒng)效率�
2. 支持高達 MHz 級別的開關頻�，適合高� DC-DC 轉換器和 LLC 諧振變換器�
3. 內置 ESD 保護功能，增強器件的抗靜電能力�
4. 具備出色的熱性能，可有效降低散熱需��
5. 符合 RoHS 標準，環(huán)保且可靠性高�
6. 封裝兼容 TO-247-3，便于集成到現有設計中�
該芯片廣泛應用于以下領域�
1. 開關電源 (SMPS)，如服務器電源和通信電源�
2. 高頻 DC-DC 轉換器和 PFC（功率因數校正）電路�
3. 快速充電器和適配器�
4. 工業(yè)電機驅動和逆變��
5. 無線充電設備和其他高頻能量傳輸系�(tǒng)�
6. 可再生能源系�(tǒng)中的光伏逆變器和儲能裝置�
APM2054NDP-TRG
APM2054NDA-TRG
GAN054-650WSA
