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AP501TR-G1 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/8 9:00:13 查看 閱讀�22

AP501TR-G1 是一款基于砷化鎵(GaAs)工藝的射頻功率晶體�,主要用于無(wú)線通信、雷�(dá)系統(tǒng)以及�(cè)試測(cè)量設(shè)備中的射頻放大應(yīng)�。該器件在高頻條件下表現(xiàn)出優(yōu)異的增益和線性度,同�(shí)具備高輸出功率和良好的穩(wěn)定��
  AP501TR-G1 的設(shè)�(jì)使其能夠在寬頻率范圍�(nèi)提供高效的射頻性能,適合需要高可靠性和高性能的應(yīng)用場(chǎng)��

參數(shù)

類型:射頻功率晶體管
  工藝:GaAs HEMT
  工作頻率范圍�0.5 GHz - 6 GHz
  輸出功率(P1dB):43 dBm
  增益�12 dB
  效率�55 %
  電源電壓�28 V
  封裝形式:TO-8 封裝
  工作溫度范圍�-55 � � +100 �

特�

AP501TR-G1 提供了卓越的高頻性能和可靠�,其主要特性如下:
  1. 高輸出功率:AP501TR-G1 � 6 GHz 下可以實(shí)�(xiàn)高達(dá) 43 dBm 的輸出功�,滿足高功率射頻�(yīng)用的需��
  2. 寬帶支持:該晶體管的工作頻率范圍� 0.5 GHz � 6 GHz,適用于多種�(wú)線通信�(biāo)�(zhǔn)和雷�(dá)系統(tǒng)�
  3. 高效率:在典型負(fù)載條件下,AP501TR-G1 的效率可�(dá)� 55%,有助于降低功耗并提升系統(tǒng)的整體能��
  4. 良好的線性度:即使在高功率條件下,該器件仍然能夠保持較低的互�(diào)失真和較高的線性度,保證信�(hào)�(zhì)��
  5. �(wěn)定性與可靠性:�(jīng)過優(yōu)化的�(shè)�(jì)� AP501TR-G1 在極端溫度條件下仍能保持�(wěn)定的性能,適合工�(yè)和軍事應(yīng)用�

�(yīng)�

AP501TR-G1 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(wú)線通信基站:用于射頻功率放大器�,以增強(qiáng)信號(hào)覆蓋范圍和傳輸能��
  2. �(cè)試與�(cè)量設(shè)備:如信�(hào)�(fā)生器和網(wǎng)�(luò)分析儀等,利用其高輸出功率和寬帶支持能��
  3. 軍事與航空航天:包括雷達(dá)系統(tǒng)和衛(wèi)星通信,得益于其高可靠性和適應(yīng)惡劣�(huán)境的能力�
  4. 移動(dòng)�(wú)線電系統(tǒng):例如專�(yè)�(duì)講機(jī)和其他專用通信�(shè)備,提升�(yǔ)音和�(shù)�(jù)傳輸性能�

替代型號(hào)

AP502TR-G1, AP503TR-G2

ap501tr-g1推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
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