AP0202AT2L00XPGA0-DR是一款基于GaN(氮化鎵)技�(shù)的高效功率轉(zhuǎn)換芯�,專為高密度電源�(yīng)用設(shè)�(jì)。該芯片采用先�(jìn)的封裝工藝,能夠提供高達(dá)98%的效�,并支持高頻開關(guān)操作,從而減少磁性元件的體積和重量。它適用于適配器、充電器、工�(yè)電源以及�(shù)�(jù)中心電源等場(chǎng)��
該器件內(nèi)置驅(qū)�(dòng)器和保護(hù)功能,簡化了電路�(shè)�(jì)并提高了系統(tǒng)的可靠�。其低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度是其顯著特點(diǎn),使其在輕載和滿載條件下均能保持高效率�
型號(hào):AP0202AT2L00XPGA0-DR
封裝:PQFN
輸入電壓范圍�17V � 36V
輸出電流:最�2A
開關(guān)頻率:高�(dá)1MHz
�(dǎo)通電阻:4.5mΩ
工作溫度范圍�-40°C � +125°C
保護(hù)功能:過流保�(hù)、短路保�(hù)、過溫保�(hù)
AP0202AT2L00XPGA0-DR具有以下�(guān)鍵特性:
1. 高效功率�(zhuǎn)換能�,適合需要高性能的應(yīng)用�
2. �(nèi)置柵極驅(qū)�(dòng)�,可直接�(qū)�(dòng)GaN FET�
3. 提供全面的保�(hù)功能,確保在異常情況下設(shè)備的安全�(yùn)��
4. 支持寬輸入電壓范�,增�(qiáng)了其適應(yīng)性和靈活性�
5. 小型封裝�(shè)�(jì),有利于節(jié)省PCB空間�
6. 快速開�(guān)特性減少了開關(guān)損�,�(jìn)一步提升了整體效率�
這些特性的�(jié)合使得該芯片成為高功率密度和高效率電源解決方案的理想選擇�
AP0202AT2L00XPGA0-DR廣泛�(yīng)用于各種電力電子�(lǐng)域,包括但不限于�
1. USB-PD充電器與快充適配��
2. 筆記本電腦及平板電腦電源適配��
3. �(shù)�(jù)中心服務(wù)器電源模塊�
4. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的高效電源單��
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的開�(guān)電源部分�
其卓越的性能表現(xiàn)使它特別適合�(duì)體積、重量和效率有嚴(yán)格要求的�(yīng)用場(chǎng)合�
AP0202AT2L00XPGA0-DR, AP0202AT2H00XPGA0-DR