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AOZ9012DI 發(fā)布時間 時間�2025/5/12 12:40:31 查看 閱讀�24

AOZ9012DI是來自Alpha and Omega Semiconductor(AOS)的一款N溝道增強型MOSFET。該器件采用了先進的半導體工藝制�,具有低導通電�、高開關速度和出色的熱性能,非常適合用于需要高效功率轉換的應用場景。其封裝形式為DFN5x6-8L,這種小型化封裝有助于節(jié)省PCB空間,同時提供良好的散熱性能�
  該MOSFET的電壓范圍為30V,適用于消費電子、通信設備以及工業(yè)應用中的負載開關、DC-DC轉換器和電池管理等場��

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流�10A
  導通電阻(典型值)�1.4mΩ
  柵極電荷�9nC
  總電容:1750pF
  工作結溫范圍�-55� to 150�

特�

AOZ9012DI是一款專為高效率設計�(yōu)化的MOSFET,其主要特點包括�
  1. 極低的導通電阻(Rds(on)),在高電流應用中可以顯著降低功耗�
  2. 高速開關性能,使其非常適合高頻開關應�,例如同步整流和多相電源�
  3. 小型DFN5x6-8L封裝不僅減少了PCB占用面積,還通過裸露焊盤提供了優(yōu)異的熱傳導性能�
  4. 具備良好的雪崩能力和耐用�,能夠在惡劣�(huán)境下�(wěn)定運行�
  5. 符合RoHS標準,環(huán)保且適合�(xiàn)代電子產(chǎn)品的要求�

應用

AOZ9012DI適用于以下應用場景:
  1. 各類DC-DC轉換�,尤其是對效率要求較高的降壓轉換��
  2. 筆記本電腦和智能手機的充電管理電路�
  3. 固態(tài)硬盤(SSD)和其他存儲設備中的電源管理�
  4. 負載開關和電機驅(qū)動控制�
  5. 工業(yè)自動化設備中的功率級管理�
  由于其低導通電阻和高性能,AOZ9012DI在任何需要高效功率傳�?shù)牡胤蕉寄鼙憩F(xiàn)出色�

替代型號

AOZ9012QI, AOZ9012DG1

aoz9012di推薦供應� 更多>

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