AONS66609 是一款高性能� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET,采用先�(jìn)的工藝制�。該器件具有低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),非常適合用于各種功率轉(zhuǎn)換應(yīng)�,如 DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)和電池保�(hù)電路��
� MOSFET 采用了緊湊的封裝形式,有助于減少 PCB 占用面積,同時提高整體系�(tǒng)的效率和性能�
最大漏源電壓:40V
連續(xù)漏極電流�17A
�(dǎo)通電阻(典型值)�1.5mΩ
柵極電荷�23nC
總電容:1250pF
工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�
AONS66609 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電�,有助于降低功耗并提升系統(tǒng)效率�
2. 高速開�(guān)能力,適合高頻應(yīng)用環(huán)境�
3. 具備出色的熱�(wěn)定性和可靠�,能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)�(yùn)行�
4. 小型封裝�(shè)�,便于在空間受限的應(yīng)用中使用�
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且安全�
AONS66609 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 移動�(shè)備中的負(fù)載開�(guān)和電池管��
2. 計算�(jī)及外�(shè)中的電源管理模塊�
3. 工業(yè)自動化設(shè)備中的電�(jī)�(qū)動和信號切換�
4. 汽車電子中的各類電源控制和保�(hù)電路�
5. 各種 AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器解決方案�
AOSS66609, AON66609