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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > AONS660A70F

AONS660A70F 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/30 20:32:50 查看 閱讀�28

AONS660A70F 是一款由 Alpha and Omega Semiconductor (AOS) 公司生產(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET。該器件采用先�(jìn)的制程工藝設(shè)�(jì),具有低�(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和出色的熱性能,適用于各種高效能電源轉(zhuǎn)換應(yīng)�。其封裝形式� LFPAK56E(DDPAK�,適合表面貼裝技�(shù)(SMT)以提高生產(chǎn)效率和可靠��
  � MOSFET 的主要特�(diǎn)包括超低的導(dǎo)通電阻(Rds(on))、高雪崩耐量以及�(yōu)化的柵極電荷�(shè)�(jì),使其在高頻開關(guān)�(yīng)用中表現(xiàn)出色�

參數(shù)

最大漏源電壓:70V
  連續(xù)漏極電流�69A
  �(dǎo)通電阻:0.48mΩ
  柵極電荷�125nC
  總柵極電荷:130nC
  開關(guān)頻率:高�(dá) 1MHz
  工作溫度范圍�-55� � +175�
  封裝形式:LFPAK56E(DDPAK�

特�

AONS660A70F 提供了非常低的導(dǎo)通電阻,能夠顯著降低傳導(dǎo)損�,從而提高系�(tǒng)的整體效率。此�,該器件還具備快速開�(guān)能力,有助于減少開關(guān)損耗�
  它采用了先�(jìn)的溝槽式 MOSFET 技�(shù),能夠在高頻工作條件下維持高效性能。同�(shí),該芯片具有�(qiáng)大的熱管理能�,可以確保長(zhǎng)�(shí)間穩(wěn)定運(yùn)行�
  AONS660A70F 還支持高溫操作環(huán)�,能夠在極端溫度范圍�(nèi)保持�(wěn)定的電氣性能。這使得它非常適合用于汽車電子、工�(yè)�(shè)備以及其他需要高可靠性的�(yīng)用場(chǎng)��

�(yīng)�

這款功率 MOSFET 廣泛�(yīng)用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、同步整流電�、電�(jī)�(qū)�(dòng)、太�(yáng)能逆變器以� LED 照明等領(lǐng)域�
  在計(jì)算機(jī)和通信�(shè)備中,它可以作為高效的功率開�(guān)使用,滿足這些�(shè)備對(duì)高性能電源管理的需��
  此外,在電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車的電池管理系統(tǒng)中,AONS660A70F 也發(fā)揮了重要作用,提供可靠的電力傳輸與控制功��

替代型號(hào)

AONS660A60F, AONS628A70F

aons660a70f推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

aons660a70f參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)貨查看交�
  • �(jià)�3,000 : �6.40078卷帶(TR�
  • 系列aMOS5?
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�700 V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)1.7A(Ta��9.6A(Tc�
  • �(qū)�(dòng)電壓(最� Rds On,最� Rds On�10V
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)660 毫歐 @ 2.5A�10V
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)14.5 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)900 pF @ 100 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)4.1W(Ta��138W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 供應(yīng)商器件封�8-DFN-EP�5x6�
  • 封裝/外殼8-PowerVDFN