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AONS21113 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/8 1:28:22 查看 閱讀�17

AONS21113是一款由Alpha & Omega Semiconductor(AOS)生�(chǎn)的N溝道增強(qiáng)型MOSFET。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和出色的熱性能。其�(shè)�(jì)適用于需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(yīng)用場(chǎng)�,例如DC-DC�(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及便攜式電子設(shè)備中的電源管��
  AONS21113的主要特�(diǎn)是低Rds(on),這使其在功率�(yīng)用中能夠減少傳導(dǎo)損耗并提高整體效率。同�(shí),其小型化的封裝�(shè)�(jì)適合�(duì)空間要求�(yán)格的�(xiàn)代電子產(chǎn)��

參數(shù)

最大漏源電�(Vds)�30V
  最大柵源電�(Vgs):�8V
  連續(xù)漏極電流(Id)�7.4A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�6mΩ
  柵極電荷(Qg)�12nC
  開關(guān)速度:快�
  工作溫度范圍�-55°C to 150°C
  封裝類型:DFN3x3-8

特�

AONS21113具備以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻Rds(on),能夠在高電流條件下提供高效的功率傳�,并降低能量損��
  2. 快速開�(guān)性能,支持高頻操�,非常適合用于開�(guān)模式電源(SMPS)和其他高頻電��
  3. 小巧的DFN3x3-8封裝,有助于節(jié)省PCB板空�,同�(shí)保持良好的散熱能��
  4. 寬泛的工作溫度范�,確保在極端�(huán)境下的可靠運(yùn)行�
  5. 高度�(wěn)定的電氣特�,可以有效延�(zhǎng)�(chǎn)品的使用壽命�
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(guó)際法�(guī)要求�

�(yīng)�

AONS21113適用于多種電力電子領(lǐng)�,包括但不限于:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的同步整流和降�/升壓�(zhuǎn)��
  2. �(fù)載開�(guān),在移動(dòng)�(shè)備和平板電腦中控制不同模塊的供電狀�(tài)�
  3. 電池管理系統(tǒng)(BMS),如與監(jiān)�(cè)�
  4. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,用于控制小型直流電�(jī)的速度和方��
  5. 充電器解決方�,為智能手機(jī)、筆記本電腦等便攜式�(shè)備提供高效的充電功能�

替代型號(hào)

AONP21113, AOSS11113

aons21113推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

aons21113參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)貨查看交�
  • �(jià)�3,000 : �5.99634卷帶(TR�
  • 系列-
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET 類型P 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�20 V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)44A(Ta��70A(Tc�
  • �(qū)�(dòng)電壓(最� Rds On,最� Rds On�2.5V�10V
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)2.2 毫歐 @ 20A�10V
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)1.1V @ 250μA
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)550 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±12V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)18700 pF @ 10 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)6.2W(Ta��138W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 供應(yīng)商器件封�8-DFN�5x6�
  • 封裝/外殼8-PowerSMD,扁平引�