AONR36326C是一款由Alpha & Omega Semiconductor(AOS)生�(chǎn)的N溝道邏輯電平增強(qiáng)型MOSFET。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體工藝制�,適用于各種高效能開(kāi)�(guān)�(yīng)用場(chǎng)合。其低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特性使其成為電源管�、負(fù)載切換以及電�(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)用的理想選擇�
該器件的封裝形式為T(mén)O-252 (DPAK),能夠提供出色的散熱性能和可靠性。由于其較低的柵極電荷和輸入電容,AONR36326C能夠在高頻條件下保持高效率�
最大漏源電�(Vds)�40V
最大柵源電�(Vgs):�8V
連續(xù)漏極電流(Id)�16A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�9.5mΩ(在Vgs=10V�(shí)�
柵極電荷(Qg)�7nC
輸入電容(Ciss)�1250pF
總電�(Coss)�120pF
輸出電容(Crss)�80pF
工作�(jié)溫范�(Tj)�-55� to +175�
AONR36326C具有非常低的�(dǎo)通電阻Rds(on),這可以顯著降低傳�(dǎo)損�,提高系�(tǒng)效率�
該器件支持邏輯電平驅(qū)�(dòng),最低可�4.5V的柵極驅(qū)�(dòng)電壓下開(kāi)啟,從而簡(jiǎn)化了電路�(shè)�(jì)并減少了外圍元件的需��
它具備快速的�(kāi)�(guān)速度,有助于減少�(kāi)�(guān)損耗并在高頻操作中維持高效��
AONR36326C采用了堅(jiān)固耐用的設(shè)�(jì),具有較高的雪崩能力和抗靜電能力(ESD),以確保在惡劣環(huán)境下的可靠運(yùn)行�
其緊湊的TO-252封裝也使得它非常適合空間受限的應(yīng)用場(chǎng)��
AONR36326C廣泛�(yīng)用于多種電力電子�(lǐng)域,例如DC-DC�(zhuǎn)換器、降�/升壓�(zhuǎn)換器、負(fù)載開(kāi)�(guān)、電池管理系�(tǒng)(BMS)、LED�(qū)�(dòng)�、電信電源以及工�(yè)控制中的電機(jī)�(qū)�(dòng)�。此外,它還可以用于消費(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)品中的電源管理和充電解決方案�
由于其高效的�(kāi)�(guān)特性和�(wěn)健的�(shè)�(jì),該器件特別適合于需要高性能和高可靠性的�(yīng)用場(chǎng)��
AONR36326L, AONR36326G