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AON6812 發(fā)布時間 時間�2025/5/10 11:02:38 查看 閱讀�25

AON6812是一款由Alpha & Omega Semiconductor(萬代半�(dǎo)體)生產(chǎn)的N溝道增強型MOSFET。該器件采用先進的制程技�(shù)制�,具有低�(dǎo)通電�、快速開�(guān)速度和高效率的特�。AON6812通常用于各種電源管理�(yīng)用中,如DC-DC�(zhuǎn)換器、負載開�(guān)、電池保護電路以及電機驅(qū)動等場景。其小尺寸封裝設(shè)計有助于節(jié)省PCB空間,并且能夠滿足便攜式電子�(shè)備對高效能和小型化的需求�
  該器件的主要特點是具備非常低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,這使得它在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中表現(xiàn)出極高的效率,同時減少發(fā)熱量。此外,AON6812還具有較高的雪崩耐量和靜電防護能�,從而增強了系統(tǒng)的可靠性和�(wěn)定性�

參數(shù)

型號:AON6812
  類型:N溝道增強型MOSFET
  Vds(漏源電壓)�30V
  Rds(on)(導(dǎo)通電�,典型值)�4.5mΩ
  Id(連續(xù)漏極電流):78A
  Vgs(柵源電壓):�20V
  Qg(柵極電荷)�3.9nC
  EAS(雪崩能量)�4.5mJ
  封裝:LFPAK56(PowerSO8�
  工作溫度范圍�-55℃至+175�

特�

AON6812具備以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),可有效降低功耗并提升效率�
  2. 高額定電流(78A�,適用于大電流應(yīng)用場景�
  3. 快速開�(guān)性能,適合高頻開�(guān)�(yīng)用�
  4. 小型化封裝設(shè)計(LFPAK56�,有助于節(jié)省PCB空間�
  5. 較寬的工作溫度范圍(-55℃至+175℃),確保在極端�(huán)境下仍能�(wěn)定運行�
  6. 良好的熱性能,有助于提高系統(tǒng)散熱效率�
  7. �(nèi)置ESD保護功能,增強器件的抗靜電能力�
  這些特性使AON6812成為許多高效能功率管理應(yīng)用的理想選擇�

�(yīng)�

AON6812廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. DC-DC�(zhuǎn)換器:用于降壓或升壓電路中,提供高效的功率轉(zhuǎn)��
  2. 負載開關(guān):在便攜式設(shè)備中用作電源通斷控制�
  3. 電池保護電路:防止過�、過充等情況�(fā)生,保護電池安全�
  4. 電機�(qū)動:為小型直流電機提供驅(qū)動電��
  5. 開關(guān)電源:在AC-DC適配器和其他電源供應(yīng)單元中使��
  6. 汽車電子:適用于汽車�(nèi)部的各種電子控制系統(tǒng)�
  AON6812憑借其卓越的性能和可靠�,在眾多工業(yè)和消費類電子�(chǎn)品中得到了廣泛應(yīng)��

替代型號

AON6810
  AON6811
  IRLZ44N
  FDP5530

aon6812推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

aon6812參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格停產(chǎn)
  • 系列-
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)停產(chǎn)
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 配置2 N 溝道(雙)共�
  • FET 功能邏輯電平門
  • 漏源電壓(Vdss�30V
  • 25°C 時電� - 連續(xù)漏極 (Id)27A
  • 不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值)4 毫歐 @ 20A�10V
  • 不同 Id � Vgs(th)(最大值)2.2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時柵極電�?(Qg)(最大值)34nC @ 10V
  • 不同 Vds 時輸入電� (Ciss)(最大值)1720pF @ 15V
  • 功率 - 最大�4.1W
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 封裝/外殼8-SMD,扁平引線裸焊盤
  • 供應(yīng)商器件封�8-DFN-EP�5x6�