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AON6512 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/9 14:40:47 查看 閱讀�29

AON6512是一款由Alpha & Omega Semiconductor(萬國半�(dǎo)體)生產(chǎn)的N溝道增強(qiáng)型MOSFET。該器件采用先�(jìn)的制程技�(shù)制�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,適用于高頻開關(guān)�(yīng)用和電源管理�(lǐng)域。其小型化的封裝�(shè)�(jì)使得它非常適合空間受限的�(shè)�(jì)�(huán)��
  AON6512的額定電壓為30V,能夠承受較高的瞬態(tài)電壓,并且具備良好的熱穩(wěn)定性和可靠�。由于其出色的電氣性能,這款MOSFET被廣泛應(yīng)用于筆記本電腦、平板電�、智能手�(jī)以及其他便攜式電子設(shè)備中的負(fù)載開�(guān)、DC-DC�(zhuǎn)換器和電池管理電路�

參數(shù)

類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  最大漏源電�(Vds)�30V
  最大柵源電�(Vgs):�8V
  持續(xù)漏電�(Id)�17A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�1.5mΩ
  柵極電荷(Qg)�4nC
  開關(guān)速度:快�
  工作溫度范圍�-55°C to +150°C
  封裝形式:LFPAK33 (PowerSO8)

特�

AON6512具有非常低的�(dǎo)通電阻Rds(on),僅�1.5毫歐,這顯著降低了功率損耗并提高了效�。同�(shí),其快速的開關(guān)速度有助于減少開�(guān)損�,在高頻�(yīng)用中表現(xiàn)尤為突出�
  此外,AON6512的柵極電荷較�,僅�4nC,這使其驅(qū)�(dòng)更加容易,并�(jìn)一步提升了系統(tǒng)的整體效率�
  其采用的LFPAK33封裝是一種高效的表面貼裝技�(shù),具備出色的散熱性能和較低的寄生電感,非常適合用于高密度PCB布局�
  該MOSFET還具有出色的熱穩(wěn)定�,即使在高負(fù)載條件下也能保持�(wěn)定的性能�

�(yīng)�

AON6512主要�(yīng)用于各種需要高效能和小體積解決方案的場�,包括但不限于:
  1. DC-DC�(zhuǎn)換器中的同步整流
  2. 筆記本電腦和平板電腦中的�(fù)載開�(guān)
  3. 智能手機(jī)和其他移�(dòng)�(shè)備的電池管理
  4. 高效功率�(zhuǎn)換模�
  5. 電機(jī)�(qū)�(dòng)控制
  6. 通信�(shè)備中的電源管理單�
  7. 各類消費(fèi)類電子產(chǎn)品的電源管理系統(tǒng)

替代型號

AO6512, AONR6512, FDMQ8205

aon6512推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價(jià)

aon6512資料 更多>

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aon6512參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝1
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C150A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.7 毫歐 @ 20A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs64nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds3430pF @ 15V
  • 功率 - 最�7.4W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-VDFN 裸露焊盤
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-DFN-EP�5x6�
  • 包裝Digi-Reel?
  • 其它名稱785-1366-6