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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > AON6508

AON6508 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/7 21:07:25 查看 閱讀�20

AON6508是東芝公司生�(chǎn)的一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。它廣泛�(yīng)用于需要高效功率管理的�(chǎng)合,例如DC-DC�(zhuǎn)換器、負(fù)載開(kāi)�(guān)和電�(jī)�(qū)�(dòng)�。這款器件采用了先�(jìn)的制造工藝,具有較低的導(dǎo)通電阻和良好的開(kāi)�(guān)特�,適合在高頻�(kāi)�(guān)�(yīng)用中使用�
  該器件封裝為SOT-23-3L,體積小�,非常適合空間受限的�(yīng)用場(chǎng)景。AON6508能夠在較寬的電壓范圍�(nèi)工作,并且具備出色的熱穩(wěn)定性和可靠��

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流�1.4A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):0.07Ω(典型�,Vgs=10V�(shí)�
  柵極電荷�3nC(典型值)
  輸入電容�200pF(典型值)
  工作溫度范圍�-55℃至150�
  封裝�(lèi)型:SOT-23-3L

特�

AON6508的主要特性包括低�(dǎo)通電阻以減少功�,快速開(kāi)�(guān)速度以適�(yīng)高頻電路�(shè)�(jì),以及高可靠性和�(wěn)定性以確保�(zhǎng)期使用性能�
  其小尺寸的SOT-23-3L封裝有助于節(jié)省PCB空間,同�(shí)具備�(yōu)良的散熱性能,使得它成為便攜式設(shè)備的理想選擇�
  此外,AON6508具有較低的柵極電荷和輸入電容,這有助于降低�(qū)�(dòng)損耗并提高效率。這些特點(diǎn)使其適用于各種電源管理和信號(hào)切換�(yīng)�,尤其是在注重能效和緊湊�(shè)�(jì)的場(chǎng)��

�(yīng)�

AON6508適用于多種電子應(yīng)用領(lǐng)域,包括但不限于�
  - DC-DC�(zhuǎn)換器中的同步整流
  - �(kāi)�(guān)電源中的初級(jí)或次�(jí)�(cè)�(kāi)�(guān)
  - 電池供電�(shè)備中的負(fù)載開(kāi)�(guān)
  - 消費(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)品中的電源管�
  - 小型電機(jī)�(qū)�(dòng)控制
  - LED照明�(diào)光和�(qū)�(dòng)
  - �(shù)�(jù)通信接口保護(hù)
  由于其高性能和小封裝,這款MOSFET特別適合于手�(jī)、平板電�、可穿戴�(shè)備以及其他便攜式電子�(shè)��

替代型號(hào)

AO3400
  IRLML6401
  FDMT6600

aon6508推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
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  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

aon6508資料 更多>

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aon6508參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝1
  • �(lèi)�分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門(mén)
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C32A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C3.2 毫歐 @ 20A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)2.2V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs49nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds2010pF @ 15V
  • 功率 - 最�4.2W
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝
  • 封裝/外殼8-VDFN 裸露焊盤(pán)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-DFN-EP�5x6�
  • 包裝Digi-Reel?
  • 其它名稱(chēng)785-1365-6