AON6298是一款由Alpha and Omega Semiconductor(萬代半導體)生�(chǎn)的N溝道增強型MOSFET。該器件采用Trench工藝制造,具有低導通電阻和高開關速度的特�,適用于多種功率�(zhuǎn)換應�。其封裝形式為DFN5x6-8L,適合用于空間受限的設計�
最大漏源電�(Vds)�30V
最大柵源電�(Vgs):�8V
連續(xù)漏極電流(Id)�17A
導通電�(Rds(on))�1.5mΩ(典型�,Vgs=10V�
總柵極電�(Qg)�16nC
輸入電容(Ciss)�1140pF
開關頻率:支持高�1MHz的應�
AON6298具有非常低的導通電�,能夠顯著降低功率損�,提高整體效��
由于采用了先進的Trench MOSFET技�,該器件還具備快速開關性能,非常適合高頻應用環(huán)境�
此外,DFN5x6封裝有助于改善熱性能,并且與傳統(tǒng)封裝相比,提供更小的占板面積�
AON6298還具有出色的雪崩能力和抗靜電能力(ESD),確保在嚴苛條件下可靠運��
AON6298廣泛應用于消費電�、工�(yè)設備以及通信領域中的各種電路設計�
典型應用場景包括DC-DC�(zhuǎn)換器、同步整流器、負載開�、電機驅(qū)動、電池保護電路以及便攜式設備中的電源管理單元(PMU)�
由于其高頻特性和低導通電�,該MOSFET特別適合于對效率和尺寸要求較高的�(chǎn)品設��
AO6298, AONR6298