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AON6154 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/21 23:51:40 查看 閱讀：6

AON6154是一款由Alpha and Omega Semiconductor（萬(wàn)代半導(dǎo)體）生產(chǎn)的N溝道增強(qiáng)型MOSFET。該器件采用TOLL封裝，具有低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力，適用于高效能開(kāi)關(guān)應(yīng)用。
　　此MOSFET廣泛應(yīng)用于負(fù)載開(kāi)關(guān)、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電池保護(hù)電路以及其他功率管理場(chǎng)景中。其出色的性能特點(diǎn)使其成為眾多設(shè)計(jì)工程師的理想選擇。

參數(shù)

型號(hào)：AON6154
　　類型：N溝道MOSFET
　　封裝：TOLL
　　Vds（漏源極電壓）：30V
　　Rds(on)（導(dǎo)通電阻）：2.8mΩ（典型值，在Vgs=10V時(shí)）
　　Id（連續(xù)漏極電流）：97A
　　Vgs（柵源極電壓）：±20V
　　功耗：約280W（具體取決于散熱條件）
　　工作溫度范圍：-55℃至175℃

特性

AON6154具備以下顯著特點(diǎn)：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻Rds(on)，僅為2.8mΩ，可有效降低傳導(dǎo)損耗。
　　2. 高額定電流，支持高達(dá)97A的連續(xù)漏極電流。
　　3. TOLL封裝形式提供卓越的熱性能和電氣性能。
　　4. 寬廣的工作溫度范圍，適應(yīng)極端環(huán)境下的使用需求。
　　5. 具備快速開(kāi)關(guān)速度，有助于減少開(kāi)關(guān)損耗并提升系統(tǒng)效率。
　　6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且滿足國(guó)際法規(guī)要求。

應(yīng)用

AON6154主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. DC-DC轉(zhuǎn)換器中的功率開(kāi)關(guān)元件。
　　2. 負(fù)載開(kāi)關(guān)用于服務(wù)器、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備和存儲(chǔ)解決方案。
　　3. 電池保護(hù)與管理系統(tǒng)中的核心組件。
　　4. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)和逆變器中的功率級(jí)控制。
　　5. 各類便攜式電子設(shè)備的電源管理單元。
　　6. 汽車電子系統(tǒng)中的高性能功率切換元件。

替代型號(hào)

AON6149,
　　AON6157,
　　IRLB8748PBF,
　　FDP5500,
　　NTMFS4829N

aon6154推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

aon6154參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨查看交期
  • 價(jià)格3,000 : ￥8.76726卷帶（TR）
  • 系列-
  • 包裝卷帶（TR）
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技術(shù)MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）45 V
  • 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)100A（Tc）
  • 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
  • 不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）1.5 毫歐 @ 20A，10V
  • 不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）2.4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）120 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）±20V
  • 不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）6575 pF @ 22.5 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散（最大值）125W（Tc）
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型表面貼裝型
  • 供應(yīng)商器件封裝8-DFN（5x6）
  • 封裝/外殼8-PowerSMD，扁平引線