AON2812是一款由Alpha & Omega Semiconductor(萬(wàn)代半導(dǎo)體)生產(chǎn)的N溝道增強(qiáng)型MOSFET。該器件采用先進(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻、快速開(kāi)關(guān)速度和高效率的特點(diǎn),適合應(yīng)用于各種功率轉(zhuǎn)換和負(fù)載開(kāi)關(guān)場(chǎng)景。AON2812的封裝形式為SOT-23,使其非常適合空間受限的應(yīng)用環(huán)境。
這款MOSFET廣泛用于消費(fèi)電子、通信設(shè)備以及計(jì)算機(jī)外設(shè)等領(lǐng)域,可提供高效的功率控制解決方案。
最大漏源電壓(Vds):30V
最大柵源電壓(Vgs):±8V
持續(xù)漏極電流(Id):1.6A
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):75mΩ(典型值,在Vgs=4.5V時(shí))
柵極電荷(Qg):4nC(典型值)
開(kāi)關(guān)速度:快速
工作溫度范圍:-55℃ 至 +150℃
AON2812具備以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻Rds(on),在4.5V柵極驅(qū)動(dòng)下僅75mΩ,有助于減少導(dǎo)通損耗并提高系統(tǒng)效率。
2. 小巧的SOT-23封裝,節(jié)省PCB板空間,適用于便攜式設(shè)備。
3. 快速的開(kāi)關(guān)速度,能夠適應(yīng)高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用需求。
4. 較高的漏極電流承載能力,確保其在高負(fù)載條件下的穩(wěn)定性。
5. 工作溫度范圍寬廣,能夠在惡劣環(huán)境下可靠運(yùn)行。
6. 具備優(yōu)異的熱穩(wěn)定性和魯棒性,適合多種復(fù)雜應(yīng)用場(chǎng)景。
AON2812適用于以下應(yīng)用領(lǐng)域:
1. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS)中的同步整流功能。
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器中的功率開(kāi)關(guān)。
3. 負(fù)載開(kāi)關(guān),如手機(jī)、平板電腦等便攜式設(shè)備中的電源管理。
4. 電池保護(hù)電路,防止過(guò)充或過(guò)放。
5. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的功率級(jí)控制。
6. 各類(lèi)保護(hù)電路,例如過(guò)流保護(hù)和短路保護(hù)。
AON2812憑借其高效能和緊湊設(shè)計(jì),成為眾多功率管理應(yīng)用的理想選擇。
AO3400
IRLML2502
Si2302DS