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AOE66410 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/27 12:37:41 查看 閱讀�31

AOE66410是一款基于砷化鎵(GaAs)材料的高電子遷移率晶體管(HEMT�,專為射頻和微波�(yīng)用設(shè)�(jì)。該器件具有出色的高頻性能和低噪聲特性,適合用于無線通信系統(tǒng)、雷�(dá)、衛(wèi)星通信等領(lǐng)域的放大器電��
  該芯片采用小型化的表面貼裝封裝形�,便于集成到各類�(fù)雜電路中。其卓越的功率增益和線性度使其成為高性能射頻系統(tǒng)的理想選��

參數(shù)

最大工作頻率:40GHz
  輸出功率(典型值)�18dBm
  增益�12dB
  噪聲系數(shù)�2.5dB
  供電電壓�+4V�+6V
  靜態(tài)電流�70mA
  封裝形式:SOT-89

特�

AOE66410的主要特性包括:
  1. 高頻率覆蓋范�,可支持高達(dá)40GHz的工作頻�,適用于多種高端射頻�(yīng)��
  2. 低噪聲系�(shù),在高頻段下仍能保持良好的信�(hào)�(zhì)�,減少干擾�
  3. 高增益性能,確保輸入信�(hào)�(jīng)過放大后具有較強(qiáng)的輸出強(qiáng)��
  4. �(wěn)定的工作狀�(tài),即便在溫度變化較大的環(huán)境中也能夠提供一致的性能表現(xiàn)�
  5. 小型化封裝設(shè)�(jì),簡化了PCB布局并提高了整體系統(tǒng)的集成度�
  6. 寬泛的供電范�,允許靈活調(diào)節(jié)以適�(yīng)不同功耗需��

�(yīng)�

AOE66410廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 射頻和微波通信系統(tǒng)中的低噪聲放大器(LNA��
  2. 商用及軍用雷�(dá)系統(tǒng)中的信號(hào)增強(qiáng)模塊�
  3. �(wèi)星通信�(shè)備中的上變頻和下變頻電路�
  4. 測試測量儀器中需要高精度放大的場��
  5. 無線基礎(chǔ)�(shè)施建�(shè),如基站中的射頻前端部分�

替代型號(hào)

ATF-54143, ATE54143

aoe66410推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

aoe66410參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)貨查看交�
  • �(jià)�3,000 : �12.97974卷帶(TR�
  • 系列AlphaSGT?
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�40 V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)100A
  • �(qū)�(dòng)電壓(最� Rds On,最� Rds On�4.5V�10V
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)1 毫歐 @ 20A�10V
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)165 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)9000 pF @ 20 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)147W
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 供應(yīng)商器件封�8-DFN-EP�5x6�
  • 封裝/外殼8-PowerVDFN