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AO6409 發(fā)布時間 時間:2025/5/26 17:26:32 查看 閱讀:12

AO6409是一種N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),由Alpha and Omega Semiconductor公司生產。該器件通常用于電源管理、開關應用和負載驅動等領域,具有低導通電阻、快速開關速度和高效率的特點。其小型化的封裝形式使其非常適合于空間受限的應用場景。

參數

最大漏源電壓:30V
  最大柵源電壓:±20V
  持續(xù)漏極電流:10A
  導通電阻:4.5mΩ
  柵極電荷:7nC
  開關速度:快速開關
  工作溫度范圍:-55℃至150℃

特性

AO6409具有非常低的導通電阻(Rds(on)),這有助于減少功率損耗并提高系統(tǒng)的整體效率。
  該器件采用DFN5*6封裝,這種封裝形式不僅體積小,還提供了優(yōu)良的散熱性能。
  由于其具備快速開關能力,AO6409非常適合高頻開關應用,例如DC-DC轉換器、同步整流電路以及電池管理等場景。
  此外,它還具有較高的雪崩擊穿能力和較強的耐用性,確保在異常條件下仍能穩(wěn)定運行。

應用

AO6409廣泛應用于各種電源管理領域,包括但不限于:
  - DC-DC轉換器中的功率開關
  - 同步整流電路中的主開關或續(xù)流二極管替代
  - 消費類電子設備中的負載開關
  - 電池保護及管理系統(tǒng)中的功率控制
  - 工業(yè)自動化中的小型化驅動電路
  其低導通電阻和緊湊型封裝使其成為高效、小型化設計的理想選擇。

替代型號

IRLZ44N
  FDP5570
  AON6409

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ao6409參數

  • 標準包裝1
  • 類別分離式半導體產品
  • 家庭FET - 單
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C5A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C45 毫歐 @ 5A,4.5V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs17.2nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1450pF @ 10V
  • 功率 - 最大2W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼SC-74,SOT-457
  • 供應商設備封裝6-TSOP
  • 包裝Digi-Reel?
  • 其它名稱785-1074-6