AO3422OS)公司生產(chǎn)的N溝道增強型MOSFET。它采用超小型DFN1006-3封裝形式,具有低導通電阻和快速開關特性,適用于便攜式設備、負載開關、電池供電設備以及DC-DC轉換器等應用領域。
該器件的最大特點是其極低的導通電阻(Rds(on)),在典型工作條件下可以顯著降低功率損耗,提高系統(tǒng)效率。同時,其緊湊的封裝使其非常適合空間受限的設計。
最大漏源電壓:30V
最大連續(xù)漏電流:2.5A
導通電阻(Rds(on)):85mΩ(在Vgs=4.5V時)
柵極電荷:1.5nC
總電容:75pF
工作溫度范圍:-55℃至+150℃
AO3422的主要特性包括:
1. 超低導通電阻:在不同的Vgs條件下,Rds(on)都非常低,可有效減少傳導損耗。
2. 小型封裝:采用DFN1006-3封裝,尺寸僅為1mm x 0.6mm,高度僅0.4mm,節(jié)省PCB空間。
3. 高切換速度:較低的柵極電荷和輸出電容使得該MOSFET具備快速開關能力。
4. 熱穩(wěn)定性:能在寬溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定工作,適合高可靠性應用場景。
5. ESD保護:內(nèi)置ESD防護設計,增強芯片的抗靜電能力。
這些特性使AO3422成為眾多低壓、高效能應用的理想選擇。
AO3422廣泛應用于以下領域:
1. 消費電子:智能手機、平板電腦、藍牙耳機等便攜式設備中的電源管理。
2. 電池管理系統(tǒng):用于鋰電池保護電路和充電控制。
3. DC-DC轉換器:作為同步整流管或開關管使用。
4. 負載開關:實現(xiàn)對不同負載的精確控制。
5. 信號切換:在多路復用器中作為信號路徑切換元件。
由于其出色的性能和小巧的封裝,AO3422特別適合于對體積和功耗有嚴格要求的應用場景。
AO3400
IRLML6401
BSS138