ALD815TSB是一款高性能的N溝道增強(qiáng)型MOSFET功率晶體�,采用TO-252表面貼裝封裝。它廣泛�(yīng)用于各種需要高效開�(guān)和低�(dǎo)通電阻的�(yīng)用場(chǎng)景中�
該器件具有較低的�(dǎo)通電阻和快速的開關(guān)速度,適用于DC-DC�(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及電源管理等應(yīng)用領(lǐng)域�
最大漏源電壓:40V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�6.7A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):23mΩ
柵極電荷�4.5nC
開關(guān)�(shí)間:典型值ton=19ns,toff=17ns
工作溫度范圍�-55℃至+150�
1. 極低的導(dǎo)通電阻,有助于降低功耗和提高效率�
2. 快速的開關(guān)性能,適合高頻開�(guān)�(yīng)��
3. 具備較高的電流承載能�,能夠滿足大功率需��
4. 小型化的TO-252封裝,適合高密度電路板設(shè)�(jì)�
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛設(shè)�(jì)�
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的開關(guān)元件�
3. �(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路�
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的功率控制�
5. 各類電機(jī)�(qū)�(dòng)和工�(yè)自動(dòng)化控��
ALD815TSE, IRFZ44N, FDP55N20