最大漏源電壓：55V
　　最大柵源電壓：±20V
　　持續(xù)漏極電流：10A
　　導(dǎo)通電阻（典型值）：4.5mΩ
　　柵極電荷：38nC
　　開關(guān)時(shí)間：開啟時(shí)間 9ns，關(guān)閉時(shí)間 6ns
　　結(jié)溫范圍：-55℃ 至 +175℃

AKG10N054PM 具有非常低的導(dǎo)通電阻，可以顯著減少傳導(dǎo)損耗，從而提高整體系統(tǒng)的效率。
　　它還具備快速的開關(guān)性能，能夠適應(yīng)高頻工作環(huán)境，并且其高耐壓能力使其在高壓應(yīng)用場(chǎng)合下表現(xiàn)出色。
　　此外，該器件的熱穩(wěn)定性非常好，即使在極端溫度條件下也能保持可靠的工作狀態(tài)。
　　由于采用了先進(jìn)的封裝技術(shù)，這款 MOSFET 還擁有出色的散熱性能，進(jìn)一步提升了長(zhǎng)期運(yùn)行的可靠性。

AKG10N054PM 廣泛應(yīng)用于多種電力電子領(lǐng)域，包括但不限于以下場(chǎng)景：
　　1. 開關(guān)電源（SMPS）中的主開關(guān)或同步整流元件。
　　2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器的核心開關(guān)器件。
　　3. 電動(dòng)工具、家用電器及其他消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制。
　　4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換與保護(hù)功能。
　　5. 新能源汽車充電樁及車載充電器的關(guān)鍵組件。

AKG10N054PMA, IRF540N, FDP5570N