AFP7117WSFN308RG是一款基于砷化鎵(GaAs)工藝的高效率功率放大器芯片,主要應用于無線通信領域中的射頻信號放大。該芯片采用了先進的偽莫�-肖特基場效應晶體管(pHEMT)技術,具有高增�、低噪聲和寬頻帶的特�,能夠在高頻段實現卓越的性能表現�
此芯片設計緊�,適合于各種便攜式和空間受限的應用場景,同時支持表面貼裝技術(SMT�,便于大�(guī)模生產及自動化裝��
工作頻率范圍�30MHz � 1000MHz
飽和輸出功率�27dBm
增益�17dB
電源電壓�5V
靜態(tài)電流�120mA
封裝形式:WSON-8
工作溫度范圍�-40� � +85�
AFP7117WSFN308RG具備以下顯著特性:
1. 高效率:在寬廣的頻率范圍內保持較高的功率轉換效率�
2. �(wěn)定性好:無論是在不同溫度條件下還是在負載阻抗變化的情況下,都能維持�(wěn)定的性能輸出�
3. 集成度高:內部集成了匹配網絡和偏置電路,減少了外圍元件的數量�
4. 低失真:具有較低的互調失真(IMD)特性,確保了高質量的信號傳��
5. 小型化設計:采用無引腳表面貼裝封�,極大地節(jié)省了PCB板的空間占用�
該芯片廣泛應用于多種無線通信系統(tǒng)中,包括但不限于�
1. GSM/EDGE基站收發(fā)信臺(BTS�
2. WiMAX固定和移動終端設�
3. 蜂窩網絡基礎設施中的遠程射頻單元(RRH�
4. �(yī)療電子設備中的無線數據傳輸模�
5. 工業(yè)控制領域的短距離無線通信系統(tǒng)
6. 軍事與航空電子系�(tǒng)的高性能射頻前端
AFP7116WSFN308RG, AFP7118WSFN308RG