A60Z2R7BT200T 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載切換等�(lǐng)域。該器件采用了先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高電流處理能�,能夠顯著提高系�(tǒng)效率并降低功��
該芯片屬� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET,其�(shè)�(jì)旨在�(yōu)化高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)用中的性能表現(xiàn)。通過(guò)減少�(kāi)�(guān)損耗和提升熱管理能力,A60Z2R7BT200T 在多種工�(yè)及消�(fèi)類電子設(shè)備中表現(xiàn)出色�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�200A
�(dǎo)通電阻:2.7mΩ
柵極電荷�150nC
總電容:380pF
�(kāi)�(guān)頻率:最高支�500kHz
工作溫度范圍�-55℃至175�
A60Z2R7BT200T 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)和 DC-DC �(zhuǎn)換器�
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和控制電��
3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切��
4. 新能源汽車(EV/HEV)中的電力管理系�(tǒng)�
5. 高效照明系統(tǒng),如 LED �(qū)�(dòng)��
6. 各類需要高性能功率�(kāi)�(guān)的應(yīng)用場(chǎng)��
A60Z2R8BT200T, A60Z2R9CT200T