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70V25L20PFGI 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/15 13:34:21 查看 閱讀：13

70V25L20PFGI是一種高功率、高頻的N溝道增強(qiáng)型MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）。該器件廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及負(fù)載切換等場(chǎng)景。其設(shè)計(jì)旨在提供低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)性能，從而實(shí)現(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)換和控制。該型號(hào)采用TO-263封裝形式，具有較高的耐壓能力和良好的散熱性能。
　　這種MOSFET的特點(diǎn)是能夠在高電壓環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行，并且能夠承受較大的電流波動(dòng)。同時(shí)，由于其較低的柵極電荷和輸出電容，可以顯著降低開關(guān)損耗并提高系統(tǒng)效率。

參數(shù)

最大漏源電壓：70V
　　連續(xù)漏極電流：25A
　　導(dǎo)通電阻：20mΩ
　　柵極電荷：50nC
　　總功耗：180W
　　工作溫度范圍：-55℃ to +175℃

特性

1. 高擊穿電壓：該器件支持高達(dá)70V的最大漏源電壓，適用于多種高壓應(yīng)用場(chǎng)景。
　　2. 超低導(dǎo)通電阻：僅為20mΩ，可有效減少導(dǎo)通狀態(tài)下的能量損耗。
　　3. 快速開關(guān)能力：通過優(yōu)化柵極結(jié)構(gòu)，使得開關(guān)速度更快，柵極電荷較小，有助于降低動(dòng)態(tài)損耗。
　　4. 強(qiáng)大的熱管理：采用TO-263封裝，提供了優(yōu)秀的散熱路徑，確保在高電流負(fù)載下仍能保持穩(wěn)定運(yùn)行。
　　5. 寬溫范圍支持：可以在極端環(huán)境條件下使用，適應(yīng)性較強(qiáng)。

應(yīng)用

1. 開關(guān)電源（SMPS）
　　2. DC-DC轉(zhuǎn)換器
　　3. 電動(dòng)工具中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)
　　4. 汽車電子設(shè)備中的負(fù)載切換
　　5. 工業(yè)自動(dòng)化控制系統(tǒng)中的功率調(diào)節(jié)
　　6. LED照明驅(qū)動(dòng)電路
　　7. 太陽(yáng)能逆變器中的功率管理

替代型號(hào)

IRFZ44N
　　FDP5500
　　STP36NF06

70v25l20pfgi推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

70v25l20pfgi產(chǎn)品

70v25l20pfgi參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨查看交期
  • 價(jià)格1 : ￥506.09000托盤
  • 系列-
  • 包裝托盤
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 存儲(chǔ)器類型易失
  • 存儲(chǔ)器格式SRAM
  • 技術(shù)SRAM - 雙端口，異步
  • 存儲(chǔ)容量128Kb
  • 存儲(chǔ)器組織8K x 16
  • 存儲(chǔ)器接口并聯(lián)
  • 時(shí)鐘頻率-
  • 寫周期時(shí)間 - 字，頁(yè)20ns
  • 訪問時(shí)間20 ns
  • 電壓 - 供電3V ~ 3.6V
  • 工作溫度-40°C ~ 85°C（TA）
  • 安裝類型表面貼裝型
  • 封裝/外殼100-LQFP
  • 供應(yīng)商器件封裝100-TQFP（14x14）