6TPG100M是一種基于硅技�(shù)的高壓功率MOSFET(金�-氧化�-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。該器件專為高電�、大電流的應(yīng)用場景設(shè)�,廣泛用于開�(guān)電源、逆變�、電�(jī)�(qū)動和DC-DC�(zhuǎn)換器等工�(yè)電子�(shè)��6TPG100M具有低導(dǎo)通電�、快速開�(guān)速度以及出色的熱�(wěn)定�,使其在高效能功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中表現(xiàn)出色�
該芯片采用TO-247封裝形式,確保了良好的散熱性能和電氣連接可靠性。其典型�(yīng)用包括硬開關(guān)�?fù)浣Y(jié)�(gòu)(如升壓、降壓變換器)和軟開�(guān)電路�
最大漏源電壓:1000V
連續(xù)漏極電流�6A
�(dǎo)通電阻:5.5Ω(典型�,在Vgs=10V時)
柵極電荷�38nC(最大值)
反向恢復(fù)時間�90ns(典型值)
工作�(jié)溫范圍:-55℃至+175�
封裝形式:TO-247
6TPG100M的主要特點如下:
1. 高耐壓能力:額定漏源電壓高�(dá)1000V,適用于高壓�(huán)境下的各種電力電子系�(tǒng)�
2. 低導(dǎo)通電阻:�(dǎo)通電阻僅�5.5Ω(典型值),有助于降低傳導(dǎo)損耗并提升整體效率�
3. 快速開�(guān)性能:柵極電荷小,反向恢�(fù)時間短,從而減少開�(guān)損��
4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng):能夠承受高溫環(huán)�,最高結(jié)溫可�(dá)175℃,保證在惡劣條件下�(wěn)定運(yùn)��
5. 可靠性高:采用先�(jìn)的制造工�,具備優(yōu)異的電氣特性和�(jī)械強(qiáng)��
6. 散熱性能�(yōu)越:TO-247封裝提供卓越的散熱路�,支持高功率密度�(shè)計�
6TPG100M適用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS):在隔離和非隔離拓?fù)渲凶鳛橹鏖_�(guān)元件�
2. 工業(yè)逆變器:用于三相逆變橋以�(qū)動感�(yīng)電機(jī)�
3. 電機(jī)控制:實�(xiàn)高效的無刷直流電�(jī)或步�(jìn)電機(jī)�(qū)��
4. DC-DC�(zhuǎn)換器:應(yīng)用于升降壓變換器和其他功率轉(zhuǎn)換模��
5. 光伏逆變器:在太陽能�(fā)電系�(tǒng)中負(fù)�(zé)直流到交流的�(zhuǎn)��
6. 電磁閥驅(qū)動:為工�(yè)自動化設(shè)備中的電磁閥提供精確控制�
6TPG120MA, IRFP460, STGW10H12MD