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65HVD3082EDR TI 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/25 18:09:34 查看 閱讀�40

65HVD3082EDR 是由德州儀� (TI) 推出的一款高壓側(cè) MOSFET �(qū)�(dòng)�,專為需要高效率和快速開�(guān)的應(yīng)用而設(shè)�(jì)。該�(qū)�(dòng)器能夠提供高�(dá) 6A 的峰值輸出電�,支持寬范圍的輸入電壓(4.5V � 18V),適用于多種工�(yè)和汽車應(yīng)用環(huán)�。它具有低傳播延遲和出色的抗噪能�,非常適合要求高速切換的�(chǎng)景�
  其封裝形式為 SOIC-8,能夠滿足緊湊型�(shè)�(jì)需�,并且具備過流保�(hù)、短路保�(hù)以及熱關(guān)斷功能以確保系統(tǒng)安全可靠�(yùn)行�

參數(shù)

輸入電壓范圍�4.5V � 18V
  輸出電流:�6A
  傳播延遲�8ns(典型值)
  工作溫度范圍�-40°C � +125°C
  封裝類型:SOIC-8
  電源靜態(tài)電流�75μA(典型值)

特�

65HVD3082EDR 提供了卓越的性能表現(xiàn),其主要特性包括:
  1. 高峰值輸出電流:可驅(qū)�(dòng)大功� MOSFET � IGBT,適�(yīng)廣泛的應(yīng)用領(lǐng)��
  2. 超低傳播延遲�8ns 的典型延遲時(shí)間使其適合高頻開�(guān)�(yīng)��
  3. 寬輸入電壓范圍:4.5V � 18V,兼容多種電源環(huán)��
  4. �(qiáng)大的保護(hù)�(jī)制:�(nèi)置過流保�(hù)、短路保�(hù)和熱�(guān)斷功�,提高了系統(tǒng)的可靠性�
  5. 小尺寸封裝:SOIC-8 封裝節(jié)省空�,便于布局�
  6. 工作溫度范圍廣:支持 -40°C � +125°C 的溫度區(qū)�,適�(yīng)惡劣的工作條件�
  7. 抗噪能力�(qiáng):即使在嘈雜的電磁環(huán)境中也能保持�(wěn)定運(yùn)��

�(yīng)�

這款�(qū)�(dòng)器被廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 汽車電子:用于電�(dòng)助力�(zhuǎn)向系�(tǒng) (EPS)、剎車控制單� (BCU) 和電�(jī)�(qū)�(dòng)��
  2. 工業(yè)自動(dòng)化:伺服�(qū)�(dòng)器、逆變�、不間斷電源 (UPS) 等設(shè)備中的功率級(jí)控制�
  3. 通信基礎(chǔ)�(shè)施:基站功放模塊和直�-直流�(zhuǎn)換器中的開關(guān)控制�
  4. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品:高性能音頻放大器和投影儀中功率管理部��
  5. 其他高功率密度應(yīng)用:� LED �(qū)�(dòng)和太陽能微逆變器�

替代型號(hào)

65HVD3082EPR, 65HVD3082EPQ

65hvd3082edr ti推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)