65E6250/IPD65R250E6 是一款基于先進(jìn)的硅技術(shù)制造的 MOSFET 功率器件,具有低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的特點(diǎn)。它主要用于高頻功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中,如開關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動等場景。該型號采用 TO-247 或 D2PAK 封裝,適用于需要高效能和散熱良好的設(shè)計(jì)。
最大漏源電壓:650V
連續(xù)漏極電流:36A
導(dǎo)通電阻:250mΩ
柵極電荷:12nC
總電容:330pF
功耗:300W
工作溫度范圍:-55℃ 至 150℃
這款 MOSFET 具備以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻,可減少傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率。
2. 高速開關(guān)性能,適合高頻功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。
3. 熱穩(wěn)定性強(qiáng),能夠在極端溫度范圍內(nèi)正常運(yùn)行。
4. 內(nèi)置反向恢復(fù)二極管,優(yōu)化了續(xù)流路徑,降低了整體損耗。
5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且可靠。
6. 可靠性高,具備出色的抗雪崩能力。
該芯片廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源 (SMPS)。
2. 工業(yè)用 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
3. 太陽能微型逆變器。
4. 電動車及混合動力車中的電機(jī)驅(qū)動控制。
5. 各類家用電器的高效功率管理系統(tǒng)。
6. LED 驅(qū)動器以及各類工業(yè)自動化設(shè)備。
IPD65R250P6, IRFP460, FDP18N65C3