5SGSMD5K2F40I4N 時(shí)間：2025/5/22 13:41:51 閱讀：15

5SGSMD5K2F40I4N 是一款由東芝（Toshiba）生產(chǎn)的MOSFET功率晶體管，主要用于開(kāi)關(guān)和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。該器件采用了TO-263-4L封裝形式，具備低導(dǎo)通電阻、高耐壓和快速開(kāi)關(guān)的特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、逆變器等領(lǐng)域。
　　這款MOSFET為N溝道增強(qiáng)型器件，適合在高頻和高效率要求的電路中使用，同時(shí)具有良好的熱性能和電氣性能。

參數(shù)

型號(hào)：5SGSMD5K2F40I4N
　　類(lèi)型：N溝道MOSFET
　　封裝：TO-263-4L
　　最大漏源電壓Vds：500V
　　最大柵源電壓Vgs：±20V
　　最大漏極電流Id：4A
　　導(dǎo)通電阻Rds(on)：1.8Ω（在Vgs=10V時(shí)）
　　功耗Pd：140W
　　工作溫度范圍：-55℃至+150℃

特性

5SGSMD5K2F40I4N具有以下主要特性：
　　1. 高擊穿電壓，可承受高達(dá)500V的漏源電壓，適用于高壓環(huán)境。
　　2. 低導(dǎo)通電阻，在典型工作條件下僅為1.8Ω，從而降低了傳導(dǎo)損耗。
　　3. 快速開(kāi)關(guān)能力，有助于提高效率并減少電磁干擾（EMI）。
　　4. 熱穩(wěn)定性好，能夠在極端溫度范圍內(nèi)可靠運(yùn)行。
　　5. TO-263-4L封裝提供了出色的散熱性能和易于安裝的特點(diǎn)。
　　6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保無(wú)鉛設(shè)計(jì)。

應(yīng)用

5SGSMD5K2F40I4N適用于多種功率電子應(yīng)用領(lǐng)域：
　　1. 開(kāi)關(guān)電源（SMPS），如AC/DC轉(zhuǎn)換器和DC/DC轉(zhuǎn)換器。
　　2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制，包括步進(jìn)電機(jī)、直流無(wú)刷電機(jī)等。
　　3. 工業(yè)逆變器和變頻器。
　　4. LED照明驅(qū)動(dòng)電路。
　　5. 充電器和適配器設(shè)計(jì)。
　　6. 各類(lèi)需要高效能開(kāi)關(guān)元件的工業(yè)與消費(fèi)電子產(chǎn)品。