5HN02M-TL-E 是一款高性能� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)器件,廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)動以及開�(guān)電路等領(lǐng)�。該型號屬于 N 溝道增強(qiáng)� MOSFET,具備低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,能夠有效降低功耗并提高系統(tǒng)效率�
最大漏源電壓:60V
最大漏極電流:12A
�(dǎo)通電阻:4.5mΩ
柵極電荷�38nC
總電容:540pF
工作溫度范圍�-55� � +175�
5HN02M-TL-E 具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電�,有助于減少功率損��
2. 快速的開關(guān)速度,適合高頻應(yīng)��
3. 高電流承載能�,適用于大功率場��
4. 良好的熱�(wěn)定性,能夠在寬溫范圍內(nèi)可靠運行�
5. 小型封裝�(shè)計,節(jié)� PCB 空間�
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足國際�(guī)范要��
該芯片適用于多種電力電子�(lǐng)域,包括但不限于以下方面�
1. 開關(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器�
2. 電機(jī)控制與驅(qū)動電��
3. 電池保護(hù)及管理系�(tǒng)�
4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負(fù)載切��
5. LED 照明�(qū)動器�
6. 通信�(shè)備中的電源模塊�
其高效率和可靠性使其成為現(xiàn)代電子產(chǎn)品的理想選擇�
5HN02SK-TL-E, IRF540N, FDP16N60C