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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > 5CEFA4F23C8N

5CEFA4F23C8N 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/3 21:27:00 查看 閱讀�9

5CEFA4F23C8N 是一款高性能� CMOS 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM�,適用于需要高速數(shù)�(jù)訪問和低功耗的�(yīng)用場(chǎng)�。該芯片采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,提供卓越的�(shù)�(jù)保持能力和穩(wěn)定�,適合在工業(yè)、通信和消�(fèi)類電子產(chǎn)品中使用�
  該器件具有快速讀寫周期、高可靠性以及多種工作模式支持的特點(diǎn),可滿足�(xiàn)代電子系�(tǒng)�(duì)�(nèi)存性能的嚴(yán)格要��

參數(shù)

類型:SRAM
  容量�512K x 8 bits
  核心電壓�1.7V � 3.6V
  接口:同�
  工作溫度范圍�-40°C � +85°C
  封裝形式:TQFP-48
  �(shù)�(jù)訪問�(shí)間:10ns
  功耗:待機(jī)模式� < 1μW

特�

5CEFA4F23C8N 的主要特性包括:
  1. 快速數(shù)�(jù)訪問能力,能�?qū)崿F(xiàn)高達(dá) 10ns 的存取時(shí)��
  2. 支持多種低功耗模�,包括深度掉電模式和備用模式,從而延�(zhǎng)電池供電�(shè)備的工作�(shí)��
  3. 高可靠性設(shè)�(jì),確保在極端溫度條件下的�(wěn)定運(yùn)行�
  4. �(nèi)置自�(dòng)刷新功能,減少外部控制器的負(fù)�(dān)�
  5. �(qiáng)大的抗電磁干擾能力,適用于復(fù)雜的電磁�(huán)��
  6. 提供全面的錯(cuò)誤檢�(cè)�(jī)�,包括奇偶校�(yàn)和循�(huán)冗余校驗(yàn)(CRC)�
  7. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于集成到綠色產(chǎn)品設(shè)�(jì)中�

�(yīng)�

5CEFA4F23C8N 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 工業(yè)自動(dòng)化控制系�(tǒng)的緩存存�(chǔ)�
  2. 通信�(shè)備中的臨�(shí)�(shù)�(jù)緩沖�
  3. �(yī)療設(shè)備中的高速數(shù)�(jù)記錄與處��
  4. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品如�(shù)碼相�(jī)、打印機(jī)和游戲機(jī)中的臨時(shí)�(shù)�(jù)存儲(chǔ)�
  5. 嵌入式系�(tǒng)中的程序代碼或配置數(shù)�(jù)暫存�
  6. 物聯(lián)�(wǎng)�(shè)備中的快速數(shù)�(jù)交換緩存�
  7. �(shù)�(jù)采集系統(tǒng)中的高速采樣數(shù)�(jù)暫存�

替代型號(hào)

CY7C1041DV33, IS61LV25616, AS6C1024

5cefa4f23c8n推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

5cefa4f23c8n參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�1 : �690.21000托盤
  • 系列Cyclone? V E
  • 包裝托盤
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • Digi-Key ProgrammableNot Verified
  • LAB/CLB �(shù)18480
  • 邏輯元件/單元�(shù)49000
  • � RAM 位數(shù)3464192
  • I/O �(shù)224
  • 柵極�(shù)-
  • 電壓 - 供電1.07V ~ 1.13V
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 工作溫度0°C ~ 85°C(TJ�
  • 封裝/外殼484-BGA
  • 供應(yīng)商器件封�484-FBGA�23x23�