5AGXMA5G4F31I3N 是一款基� GaN(氮化鎵)技術的高效功率晶體管,主要用于高頻開關電源、DC-DC 轉換器以及其他高效率電力電子應用。該器件采用了先進的封裝技�,具有出色的熱性能和電氣性能。其�(nèi)部結構設計能夠顯著降低導通和開關損�,從而提高整體系�(tǒng)效率�
該器件適合在高頻率工作條件下使用,同時具備低輸出電容和快速開關速度的特�,使其成為現(xiàn)代電力電子設備的理想選擇�
最大漏源電壓:600V
連續(xù)漏極電流�20A
導通電阻:15mΩ
柵極電荷�120nC
開關頻率�5MHz
封裝類型:TO-247
5AGXMA5G4F31I3N 的主要特性包括:
1. 高擊穿電壓能�,確保在高壓�(huán)境下的可靠運行�
2. 極低的導通電�,可有效減少傳導損��
3. 快速開關速度,支持高頻應用并降低開關損��
4. �(nèi)置保護功�,如過流保護和短路耐受能力,提高了系統(tǒng)的魯棒性�
5. 封裝采用強化散熱設計,進一步優(yōu)化了熱管理性能�
6. 具備高效率和高功率密度,適用于緊湊型設計需��
這些特性使得該器件非常適合于各種工�(yè)和消費類電力轉換場景�
這款芯片廣泛應用于以下領域:
1. 高頻 AC-DC � DC-DC 轉換��
2. 太陽能逆變器中的功率轉換模塊�
3. 電動汽車充電裝置�
4. �(shù)�(jù)中心電源供應單元�
5. 消費類快充適配器�
由于其卓越的性能表現(xiàn)�5AGXMA5G4F31I3N 成為許多需要高效率和小尺寸解決方案的設計中的首��
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