5AGXFB1H4F35I3G 是一款高性能的射頻功率放大器芯片,專為無(wú)線通信�(yīng)用設(shè)�(jì)。該芯片采用先�(jìn)� GaN(氮化鎵)工藝制造,能夠提供高效率和高增益的性能,適合于基站、雷�(dá)以及微波通信等高頻場(chǎng)�。此�,其緊湊的設(shè)�(jì)和高度集成的功能模塊使其成為需要高功率密度解決方案的理想選擇�
該芯片能夠在寬頻率范圍內(nèi)工作,支持多種調(diào)制模�,并具備出色的線性度和穩(wěn)定�,從而滿足現(xiàn)代通信系統(tǒng)�(duì)帶寬和信�(hào)�(zhì)量的要求�
型號(hào)�5AGXFB1H4F35I3G
工藝:GaN(氮化鎵�
工作頻率范圍�3.4GHz � 3.6GHz
輸出功率�40W(典型值)
增益�15dB(典型值)
效率�60%(典型值)
電源電壓�28V
封裝形式:QFN-32
工作溫度范圍�-40°C � +85°C
輸入匹配阻抗�50Ω
輸出匹配阻抗�50Ω
5AGXFB1H4F35I3G 芯片采用了氮化鎵技�(shù),這種材料相比傳統(tǒng)的硅基或砷化鎵器件具有更高的擊穿電壓和更好的熱傳�(dǎo)性能,從而提升了整體的功率處理能力和效率�
芯片�(nèi)部集成了偏置電路,減少了外部元件的需求,�(jiǎn)化了�(shè)�(jì)流程并提高了可靠��
同時(shí),這款芯片還具備過溫保�(hù)和負(fù)載失配保�(hù)功能,可以在極端條件下保持穩(wěn)定運(yùn)��
其高效的散熱�(shè)�(jì)使得即使在高功率輸出�(shí)也能維持較低的工作溫�,延�(zhǎng)了使用壽��
另外,它支持脈沖�(diào)制模式,非常適合雷達(dá)和類似的�(yīng)用場(chǎng)�,能夠快速響�(yīng)信號(hào)的變化�
5AGXFB1H4F35I3G 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(wú)線通信基站:特別是� LTE � 5G �(wǎng)�(luò)�,用于提高信�(hào)覆蓋范圍和容量�
2. 軍事雷達(dá)系統(tǒng):由于其高功率和高效率特�(diǎn),適用于各種地面和機(jī)載雷�(dá)�(shè)��
3. �(wèi)星通信終端:可以增�(qiáng)上行鏈路的信�(hào)�(qiáng)度,改善�(shù)�(jù)傳輸速率�
4. 工業(yè)微波加熱�(shè)備:利用其大功率輸出能力,實(shí)�(xiàn)高效能量�(zhuǎn)��
5. 科學(xué)研究?jī)x器:如高能物理實(shí)�(yàn)中的粒子加速器控制模塊��
5BGXFA2J5G46K4H, 6CGXFC3K6H57L5M