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時(shí)間：2025/5/24 10:29:14
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5AGXBA1D4F31I5N 是一款高性能的功率MOSFET器件，主要用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和逆變器等應(yīng)用。該器件采用先進(jìn)的制造工藝，具有低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)速度和高電流處理能力等優(yōu)點(diǎn)。
這款MOSFET屬于N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管，通過柵極電壓控制漏極與源極之間的導(dǎo)通狀態(tài)，廣泛應(yīng)用于需要高效能和低損耗的場景中。
最大漏源電壓：60V
最大柵源電壓：±20V
最大連續(xù)漏極電流：30A
最大脈沖漏極電流：90A
導(dǎo)通電阻（典型值）：4.5mΩ
柵極電荷：38nC
輸入電容：2200pF
開關(guān)時(shí)間：開通延遲時(shí)間7ns，開通上升時(shí)間10ns，關(guān)斷延遲時(shí)間19ns，關(guān)斷下降時(shí)間12ns
5AGXBA1D4F31I5N 具有以下主要特性：
1. 極低的導(dǎo)通電阻，在滿載條件下能夠顯著減少功耗。
2. 快速開關(guān)速度使得其非常適合高頻開關(guān)應(yīng)用，從而減小磁性元件尺寸并提高系統(tǒng)效率。
3. 高雪崩能量能力增強(qiáng)了器件在異常條件下的魯棒性。
4. 內(nèi)置反向恢復(fù)二極管設(shè)計(jì)進(jìn)一步優(yōu)化了性能表現(xiàn)。
5. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保無鉛封裝，適用于綠色能源相關(guān)產(chǎn)品。
6. 耐熱增強(qiáng)型TO-247封裝提高了散熱性能，保證了長期可靠性。
該元器件常用于以下領(lǐng)域：
1. 開關(guān)模式電源（SMPS），包括AC-DC轉(zhuǎn)換器和DC-DC變換器。
2. 各類電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，如步進(jìn)電機(jī)、伺服電機(jī)及直流無刷電機(jī)控制。
3. 太陽能逆變器以及其他可再生能源發(fā)電系統(tǒng)的電力電子變換模塊。
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換和保護(hù)電路。
5. 電動(dòng)車充電站和車載充電器等高功率密度應(yīng)用場景。
IRF540N
STP30NF06L
FDP5500
AO3400
