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5AGXBA1D4F31C4N 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/20 11:17:54 查看 閱讀�18

5AGXBA1D4F31C4N 是一款高性能� MOSFET 功率晶體�,廣泛應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、逆變器等電力電子�(shè)備中。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),能夠有效降低功耗并提升系統(tǒng)效率�
  該型�(hào)屬于 N 溝道增強(qiáng)� MOSFET,適用于高頻�(kāi)�(guān)�(yīng)用場(chǎng)合,其優(yōu)化設(shè)�(jì)使其在高溫環(huán)境下仍能保持�(wěn)定的性能表現(xiàn)�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大柵源電壓:±20V
  持續(xù)漏極電流�12A
  脈沖漏極電流�36A
  �(dǎo)通電阻:1.8mΩ
  柵極電荷�75nC
  輸入電容�1590pF
  總功率耗散�85W
  工作溫度范圍�-55� � 175�

特�

5AGXBA1D4F31C4N 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),能夠在高電流條件下顯著降低功��
  2. 高速開(kāi)�(guān)能力,適合高頻應(yīng)�,減少開(kāi)�(guān)損��
  3. 良好的熱�(wěn)定性,即使在極端溫度條件下也能維持�(wěn)定性能�
  4. �(nèi)置反向恢�(fù)二極管,�(yōu)化了�(xù)流性能,降低了電磁干擾�
  5. 小型化封裝設(shè)�(jì),節(jié)� PCB 空間,便于系�(tǒng)集成�
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且支持�(wú)鉛焊接工��

�(yīng)�

這款 MOSFET 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器�
  2. 電動(dòng)工具和家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)控制�
  3. 太陽(yáng)能逆變器和其他可再生能源轉(zhuǎn)換系�(tǒng)�
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模��
  5. 汽車(chē)電子系統(tǒng),如電動(dòng)助力�(zhuǎn)� (EPS) 和制�(dòng)系統(tǒng)�
  6. 其他需要高效功率管理的電子�(shè)��

替代型號(hào)

5AGXBA1D4F31C4P, IRF540N, FDP5570N

5agxba1d4f31c4n推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)

5agxba1d4f31c4n�(chǎn)�