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5AGTFD7K3F40I5N 發(fā)布時間 時間�2025/4/29 13:26:29 查看 閱讀�35

5AGTFD7K3F40I5N 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于高效率開�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器以及電機�(qū)動等場景。該芯片采用先進的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,能夠顯著降低能耗并提升系統(tǒng)性能�
  這款功率MOSFET為N溝道增強型器�,支持較高的工作電壓,并且在高頻�(yīng)用中表現(xiàn)出優(yōu)異的熱特性和電氣�(wěn)定�。其封裝形式多樣,便于根�(jù)具體�(yīng)用場景選擇合適的安裝方式�

參數(shù)

型號�5AGTFD7K3F40I5N
  類型:N溝道功率MOSFET
  Vds(漏源極擊穿電壓):60V
  Rds(on)(導(dǎo)通電�,典型值)�4mΩ
  Id(連續(xù)漏極電流):40A
  Vgs(柵源極開啟電壓):4V~10V
  Qg(柵極電荷)�50nC
  f(最大工作頻率)�2MHz
  封裝:TO-247

特�

5AGTFD7K3F40I5N 功率MOSFET的主要特性包括:
  1. 超低�(dǎo)通電阻Rds(on),能夠在高電流應(yīng)用中顯著降低功��
  2. 快速開�(guān)速度,適合高頻開�(guān)電源和DC-DC�(zhuǎn)換器�
  3. 支持大電流操�,額定連續(xù)漏極電流高達40A�
  4. 高擊穿電壓設(shè)計,確保在復(fù)雜電氣環(huán)境中�(wěn)定運��
  5. 熱性能�(yōu)越,散熱效率�,有助于延長器件使用壽命�
  6. 柵極電荷較低,驅(qū)動損耗小,提高了整體系統(tǒng)的能��

�(yīng)�

這款芯片廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS) 和適配器�(shè)��
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器和同步整流電��
  3. 電機�(qū)動與控制�
  4. 太陽能逆變器和其他可再生能源設(shè)��
  5. 汽車電子中的負載開關(guān)和保護電路�
  6. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率管理模��
  由于其卓越的性能和可靠��5AGTFD7K3F40I5N 成為眾多高功率密度應(yīng)用的理想選擇�

替代型號

IRF540N
  STP55NF06L
  FDP5580

5agtfd7k3f40i5n推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
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  • 詢價