5962-9461109HMA 是一種符合軍用標(biāo)�(zhǔn)的半�(dǎo)體存�(chǔ)器芯片,廣泛�(yīng)用于航空航天和國防領(lǐng)�。該型號(hào)采用靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)技�(shù),具有高速讀�、低功耗和高可靠性等特點(diǎn)。ACT-S512K32N-020F2Q 則是另一款商用級(jí)別的 SRAM 芯片,適用于工業(yè)和高性能�(jì)算環(huán)境�
兩者均具備非易失性存�(chǔ)能力,在斷電�(shí)�(shù)�(jù)�(huì)丟失,因此適合需要快速訪問和臨時(shí)存儲(chǔ)的應(yīng)用場(chǎng)��
容量�512K x 32位(16Mb�
工作電壓�3.3V � 5V
工作溫度范圍�5962-9461109HMA�-55°C � +125°C(軍�(guī)�(jí)�,ACT-S512K32N-020F2Q�-40°C � +85°C(工�(yè)�(jí)�
訪問�(shí)間:最� 10ns
封裝形式:CerDIP(陶瓷雙列直插式封裝�,或 QFP(四方扁平封裝)
I/O �(shù)量:根據(jù)具體封裝不同,通常� 44 引腳� 48 引腳
5962-9461109HMA � ACT-S512K32N-020F2Q 均基� CMOS 工藝制�,提供卓越的性能和穩(wěn)定��
- 高速操作:支持納秒�(jí)的數(shù)�(jù)訪問�(shí)間,滿足�(shí)�(shí)處理需��
- 寬溫度范圍:5962-9461109HMA 特別�(shè)�(jì)用于極端�(huán)�,確保在�(yán)苛條件下正常�(yùn)行�
- 低功耗模式:待機(jī)狀�(tài)下電流消耗顯著降�,延�(zhǎng)系統(tǒng)�(xù)航能��
- 軍規(guī)�(rèn)證:5962-9461109HMA 滿足 MIL-PRF-38535 �(biāo)�(zhǔn),通過了嚴(yán)格的篩選�(cè)試流程�
- 商業(yè)用途:ACT-S512K32N-020F2Q 更適合成本敏感型�(yīng)�,同�(shí)保持較高的可靠性和兼容��
這些 SRAM 芯片主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
- 軍事及航天電子設(shè)備中的緩存和�(shù)�(jù)緩沖�
- 高性能�(jì)算平�(tái)的臨�(shí)存儲(chǔ)單元�
- 工業(yè)自動(dòng)化控制系�(tǒng)的快速數(shù)�(jù)交換�
- �(yī)療成像設(shè)備中的圖像處理加��
- �(wǎng)�(luò)通信硬件中的包轉(zhuǎn)�(fā)和協(xié)議解��
CY7C1049V33, IS61LV25616, AS7C34096A