5962-9461109H9A 是一種軍用規(guī)格的半導(dǎo)體存�(chǔ)器芯�,符合MIL-PRF-38535�(biāo)�(zhǔn)。該器件主要用于高可靠性應(yīng)用場(chǎng)�,例如航空航�、軍事通信和工�(yè)控制�(lǐng)�。它具備較高的抗輻射能力,并能在極端溫度�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
WS512K32-20G2Q 是一款商用級(jí)別的閃存芯片,具有大容量和快速讀寫性能的特�(diǎn)。其主要�(yīng)用于消費(fèi)類電子產(chǎn)品如固態(tài)硬盤(SSD)、USB閃存盤以及嵌入式系統(tǒng)��
型號(hào)�5962-9461109H9A
類型:SRAM
存儲(chǔ)容量�512K x 32
工作電壓�5V
封裝形式:Ceramic DIP
溫度范圍�-55°C to +125°C
型號(hào):WS512K32-20G2Q
類型:NAND Flash
存儲(chǔ)容量�512GB
接口:PCIe NVMe
傳輸速率:最高可�(dá)2000MB/s
工作電壓�1.8V/3.3V
封裝形式:BGA
溫度范圍�0°C to +70°C
5962-9461109H9A 具有極高的可靠性和抗惡劣環(huán)境的能力,適合在�(yán)苛條件下使用。其�(shè)�(jì)�(jīng)過嚴(yán)格的�(cè)試以確保能夠在高�、低溫及振動(dòng)等極端環(huán)境中正常工作�
WS512K32-20G2Q 提供了超大的存儲(chǔ)空間與高效的讀寫速度,同�(shí)保持較低的功耗水�,非常適合需要高性能存儲(chǔ)解決方案的應(yīng)用場(chǎng)��
兩者都采用了先�(jìn)的制造工�,在各自的領(lǐng)域內(nèi)展現(xiàn)了卓越的技�(shù)�(yōu)�(shì)�
5962-9461109H9A 被廣泛應(yīng)用于軍事雷達(dá)系統(tǒng)、衛(wèi)星通信�(shè)備以及飛行器控制系統(tǒng)等對(duì)�(wěn)定性要求極高的�(chǎng)��
WS512K32-20G2Q 則更多地用于高端消費(fèi)類產(chǎn)品,包括游戲主機(jī)、視頻編輯工作站以及云計(jì)算服�(wù)器等需要大量數(shù)�(jù)處理與存�(chǔ)的地��
5962-9461109H9A 替代型號(hào)�5962-9461108H9A, WS512K32-20G2Q 替代型號(hào)為WS512K32-10G2Q