5962-8409101CA 時(shí)間：2025/4/30 16:00:06 閱讀：19

5962-8409101CA 是一種軍用級(jí) CMOS 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (SRAM)，符合 MIL-PRF-38535 標(biāo)準(zhǔn)，專為高可靠性應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件提供非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)功能，適用于航空航天、軍事通信和關(guān)鍵任務(wù)控制系統(tǒng)等領(lǐng)域。
　　該芯片具有低功耗特性，并支持較寬的工作溫度范圍（通常為 -55°C 至 +125°C），以確保在極端環(huán)境條件下的穩(wěn)定運(yùn)行。

參數(shù)

容量：65536 x 8 位（512KB）
　　工作電壓：5V ± 5%
　　訪問(wèn)時(shí)間：70 納秒
　　數(shù)據(jù)保持時(shí)間：無(wú)限期（在規(guī)定的工作條件下）
　　封裝類型：陶瓷扁平封裝（Ceramic Flatpack）
　　引腳數(shù)：44
　　工作溫度范圍：-55°C 至 +125°C
　　存儲(chǔ)溫度范圍：-65°C 至 +150°C

特性

5962-8409101CA 的主要特性包括高可靠性、抗輻射性能和長(zhǎng)時(shí)間的數(shù)據(jù)保存能力。
　　1. 軍用級(jí)質(zhì)量保證：符合 MIL-PRF-38535 標(biāo)準(zhǔn)，確保其能夠在極端環(huán)境下長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行。
　　2. 高速操作：70 納秒的訪問(wèn)時(shí)間使得該 SRAM 能夠滿足高性能計(jì)算需求。
　　3. 抗輻射加固設(shè)計(jì)：針對(duì)航天和軍事應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，可抵抗高能粒子引起的單事件效應(yīng)（SEE）。
　　4. 長(zhǎng)壽命數(shù)據(jù)存儲(chǔ)：即使在斷電情況下，存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)也不會(huì)丟失，適合需要可靠存儲(chǔ)的應(yīng)用場(chǎng)景。
　　5. 寬工作溫度范圍：使其非常適合在極端氣候條件下使用的設(shè)備中部署。

應(yīng)用

該芯片適用于多種對(duì)可靠性要求極高的場(chǎng)合，包括但不限于：
　　1. 航空電子系統(tǒng)：如飛行控制、導(dǎo)航和雷達(dá)處理等。
　　2. 軍事通信：加密通信、信號(hào)處理和數(shù)據(jù)記錄等應(yīng)用。
　　3. 地面支持設(shè)備：用于測(cè)試和測(cè)量?jī)x器中的數(shù)據(jù)緩沖和存儲(chǔ)。
　　4. 衛(wèi)星和空間探測(cè)器：因其抗輻射特性，是太空應(yīng)用的理想選擇。
　　5. 工業(yè)自動(dòng)化：實(shí)時(shí)控制和監(jiān)控系統(tǒng)的高速緩存解決方案。